晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管技术

一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管
本专利技术涉及晶体氧化物半导体薄膜，特别涉及用于液晶显示器或有机EL显示器等显示装置等的薄膜晶体管(TFT)的晶体氧化物半导体薄膜。本专利技术的晶体氧化物半导体薄膜能够优选地用于太阳能电池或液晶元件、有机电致发光元件、无机电致发光元件等显示元件或电力半导体元件、触摸面板等电子设备，这些能够优选地用于电器或车辆。
技术介绍
TFT所使用的无定形(非晶质)氧化物半导体与通用的无定形硅(a-Si)相比具有高载流子迁移率，光学带隙大，能够在低温下成膜，因而期待将其用于要求大型、高成像清晰度、高速驱动的下一代显示器或耐热性低的树脂基板等。在形成上述氧化物半导体(膜)时，优选使用对与该膜材料相同的溅射靶进行溅射的溅射法。这是因为，利用溅射法形成的薄膜与利用离子电镀法或真空蒸镀法、电子束蒸镀法形成的薄膜相比，膜面方向(膜面内)的成分组成或膜厚等的面内均匀性优良，能够形成与溅射靶成分组成相同的薄膜。溅射靶通常是将氧化物粉末混合、烧结，经由机械加工而形成。作为显示装置所使用的氧化物半导体的组成开发最为先进的是含有In的In-Ga-Zn本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，并含有具有单一晶体取向的表面晶体颗粒。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.30 JP 2015-1507011.一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，并含有具有单一晶体取向的表面晶体颗粒。2.如权利要求1所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，在利用电子背散射衍射法观察时，能够观察到表面的晶体状态为小面状的晶体颗粒。3.如权利要求1或2所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述表面的晶体状态为小面状的晶体颗粒所占面积为50％以上。4.如权利要求1～3的任一项所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，包括从除铟元素以外的正三价的金属元素构成的组中选择的1种以上的元素。5.如权利要求4所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，相对于所述晶体氧化物半导体薄膜中的全部金属成分，所述除铟元素以外的正三价的金属元素的含量为大于8原子％且在17原子％以下。6.如权利要求4或5所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述除铟元素以外的正三价的金属元素是从铝、镓、钇以及镧系元素构成的组中选择的1种或者2种以上的金属元素。7.如权利要求1～6的任一项所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，还包括从正四价的金属元素构成的组中选择的1种以上的元素。8.如权利要求7所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，相对于所述晶体氧化物半导体薄膜中的全部金属成分，所述正四价的金属元素的含量为0.01原子％以上且在1原子％以下。9.如权利要求7或8所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述正四价的金属元素是从锡、锆以及铈构成的组中选择的1中以上的金属元素。10.如权利要求1～9的任一项所述的晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，带隙为3.6eV以上。11.一种晶体氧化物半导体薄膜的制造方法，所述晶体氧化物半导体薄膜是权利要求1～10的任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上一吉，宇都野太，霍间勇辉，笘井重和，江端一晃，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP