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一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。...
该专利属于出光兴产株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过出光兴产株式会社授权不得商用。

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