制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造碳化硅外延基板的设备制造方法及图纸

在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造碳化硅外延基板的设备
本公开涉及制造碳化硅外延基板的方法、制造碳化硅半导体装置的方法以及制造所述碳化硅外延基板的设备。本申请要求基于2015年9月29日提交的日本专利申请2015-191489号的优先权，并通过引用将其全部内容并入本文中。
技术介绍
日本特开2014-170891号公报(专利文献1)公开了在碳化硅单晶基板上外延生长碳化硅层的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-170891号公报
技术实现思路
本公开的制造碳化硅外延基板的方法包括如下步骤。将碳化硅单晶基板放置在反应室中的步骤。通过向反应室供应包含硅烷、氨气和氢气的混合气体而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅层的步骤。碳化硅单晶基板具有100mm以上的最大直径。在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，第一值和第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。第一坐标为(0.05，6.5×10-4)。第二坐标为(0.05本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造碳化硅外延基板的方法，所述方法包含：将碳化硅单晶基板放置在反应室中的步骤；以及通过向所述反应室供应包含硅烷、氨气和氢气的混合气体而在所述碳化硅单晶基板上形成碳化硅层的步骤，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的最大直径，在所述形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将所述硅烷的流量除以所述氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示所述氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内，所述第一坐标为(0.05，6.5×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.29 JP 2015-1914891.一种制造碳化硅外延基板的方法，所述方法包含：将碳化硅单晶基板放置在反应室中的步骤；以及通过向所述反应室供应包含硅烷、氨气和氢气的混合气体而在所述碳化硅单晶基板上形成碳化硅层的步骤，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的最大直径，在所述形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将所述硅烷的流量除以所述氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示所述氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内，所述第一坐标为(0.05，6.5×10-4)，所述第二坐标为(0.05，4.5×10-3)，所述第三坐标为(0.22，1.2×10-2)，所述第四坐标为(0.22，1.3×10-1)，在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm-3以上且2×1016cm-3以下。2.根据权利要求1所述的制造碳化硅外延基板的方法，其中，所述反应室包括在所述碳化硅单晶基板上方的第一加热区域和位于所述第一加热区域上游的第二加热区域，且在所述形成碳化硅层的步骤中，所述第二加热区域具有所述氨气的分解温度以上的温度。3.根据权利要求2所述的制造碳化硅外延基板的方法，其中，所述第二加热区域在所述混合气体的流动方向上具有60mm以上的长度。4.一种制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田圭司，土井秀之，伊东洋典，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP