【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、提出了一种为了减小使用氮化物半导体的半导体装置中的导通电阻而使以高浓度含有杂质的氮化物半导体层再生长的结构。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2005/119787号
5、专利文献2：国际公开第2018/042792号
6、在以往的半导体装置中，再生长的氮化物半导体层的表面有时会在制造中受到损伤。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供能抑制再生长的氮化物半导体层的表面的损伤的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
2、本公开的半导体装置的制造方法具有以下工序：在具有第一主面的第一氮化物半导体层之上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上形成具备供所述第一绝缘层的一部分露出的第一掩模开口的掩模；经由所述第一掩模开口在所述第一绝缘层形成供所述第一氮化物半导体层的一部分露出的第一开口；经由所述第一掩模开口在所述第一开口的内侧且在所述第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层；经由所述第一掩模开口在所述第二氮化物半导体层之上以覆盖所述第二氮化物半导体层与所述第一绝缘层的边界线的方式形成第一电极；以及在形成所述第一电极的工序之后，去除所述掩模。
3、专利技术效果
4、根据本公开，能抑制再生长的氮化物半导体层的表面的损伤。
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，
7.一种半导体装置，具有：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：早坂明泰，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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