【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、提出了一种为了减小使用氮化物半导体的半导体装置中的导通电阻而使以高浓度含有杂质的氮化物半导体层再生长的结构。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2005/119787号
5、专利文献2：国际公开第2018/042792号
6、在以往的半导体装置中，再生长的氮化物半导体层的表面有时会在制造中受到损伤。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供能抑制再生长的氮化物半导体层的表面的损伤的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
2、本公开的半导体装置的制造方法具有以下工序：在具有第一主面的第一氮化物半导体层之上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上形成具备供所述第一绝缘层的一部分露出的第一掩模开口的掩模；经由所述第一掩模开口在所述第一绝缘层形成供所述第一氮化物半导体层的一部分露出的第一开口；经由所述第一掩模开口在所述第一开口的内侧且在所述第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层；经由所述第一掩模开口形成覆盖所述第二氮化物半导体层与所述第一绝缘层的边界线的第二绝缘层；在形成所述第二绝缘层的工序之后，去除所述掩模；在所述第二绝缘层形成供所述第二氮化物半导体层的一部分露出的第二开口；在所述第二绝缘层之上形成经由所述第二开口与所述第二氮化物半导体层接触的第一电极；以及在所述第一氮化物半导体层的上方形成在与所述第一主面垂直的俯视观察下离开所述第二
3、专利技术效果
4、根据本公开，能抑制再生长的氮化物半导体层的表面的损伤。
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1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
8.一种半导体装置，具有：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：平崎贵英，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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