膏状组合物制造技术

本发明专利技术提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】膏状组合物
本专利技术涉及一种用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。
技术介绍
以往，作为在本征半导体基板或p型半导体基板上形成n层、以及在n型半导体基板上形成n+层的手段，提出了将磷用作n型掺杂剂的方法。具体而言，已知：在三氯氧磷、氮、氧的混合气体氛围下，例如于800～900℃下处理数十分钟的方法(例如，参考专利文献1等)；或者利用包含五氧化磷等磷酸盐的溶液来形成n型扩散层的方法(例如，参考专利文献2等)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2014/024297号专利文献2：日本特开2002-75894号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，关于如上所述的专利文献所公开的所述方法，由于形成n层需要长时间的热处理，而且由于为分批处理，因此存在生产率差、需要过量的能量的问题。除了像这样的生产上的技术问题以外，上述的各专利文献中公开的技术还存在难以形成n层中的特别是磷浓度高的层、即难以形成n+层的技术问题，难以效率良好地形成n+层。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。解决技术问题的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膏状组合物，其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物，其含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.29 JP 2015-1912751.一种膏状组合物，其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物，其含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔万·达姆林，铃木绍太，菊地健，中原正博，森下直哉，
申请(专利权)人：东洋铝株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP