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本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的...
该专利属于东洋铝株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东洋铝株式会社授权不得商用。

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