一种离子注入工序制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种离子注入工序，包括：提供一衬底；采用N型的一第一离子注入工艺于第一PMOS预制备区内注入形成过注入N阱；采用P型的一第二离子注入工艺对高压区、低压区和存储区进行注入，使得第一PMOS预制备区内的过注入N阱转化为标准N阱，并在第一NMOS预制备区、第二NMOS预制备区和存储区内分别形成一标准P阱，以及在第二PMOS预制备区内形成反型注入P阱；采用P型的一第三离子注入工艺对第二PMOS预制备区内进行注入，使得第二PMOS预制备区内的反型注入P阱转化为标准N阱；无需制备覆盖各区的掩膜，就能制备形成具有高压区P阱、N阱和低压区P阱、N阱的半导体复合结构，工序简单，制备成本低。

An ion implantation process

The present invention relates to the field of semiconductor technology, especially relates to an ion implantation process includes: providing a substrate; a first ion type N in the first PMOS zone formed into the pre injection of N wells injection process; with a second P type ion implantation process of high pressure zone, low pressure area and storage area for injection first, the PMOS pre injecting N well into the standard N well region, and in the first second NMOS NMOS pre preparation area, pre preparation of a standard P wells respectively form area and storage area, and formed in the anti P type injection wells at second PMOS with a third P ion prefabricated; the technology of second PMOS pre preparation area injection, the second PMOS pre inversion region injected into the P trap into standard N trap; without mask preparation system covers all districts, can be prepared with high pressure zone formed P trap and N The semiconductor composite structure of well and low pressure area P well and N well is simple in process and low in preparation cost.

【技术实现步骤摘要】
一种离子注入工序
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种离子注入工序。
技术介绍
MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。制备MOSFET一般需要制备其栅极结构，栅极结构的性能也会直接影响MOSFET器件的性能。在存储器中，一般会在处于中心的存储区中制备存储单元，控制电路往往会做在外围的高压区和低压区中，在高压区中制备形成高压PMOS和高压NMOS，在低压区中制备形成低压PMOS和低压NMOS。传统制备高压NMOS和低压NMOS的阱区的方法是，通过制备覆盖存储区、高压PMOS预制备区、低压PMOS预制备区的掩膜，对高压NMOS预制备区和低压NMOS预制备区进行注入，然后再取出光阻，制备方法复杂繁琐，成本较高。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种离子注入工序，应用于制备具有阱区的一半导体复合结构；其中，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括高压区、低压区和存储区，所述高压区中包括相互隔离的第一PMOS预本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入工序，应用于制备具有阱区的一半导体复合结构；其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括高压区、低压区和存储区，所述高压区中包括相互隔离的第一PMOS预制备区和第一NMOS预制备区，所述低压区中包括相互隔离的第二PMOS预制备区和第二NMOS预制备区；步骤S2，采用N型的一第一离子注入工艺于所述第一PMOS预制备区内注入形成过注入N阱；步骤S3，采用P型的一第二离子注入工艺对所述高压区、所述低压区和所述存储区进行注入，使得所述第一PMOS预制备区内的所述过注入N阱转化为标准N阱，并在所述第一NMOS预制备区、所述第二NMOS预制备区和所述存储区内分别形成一标准P阱，以及在所...

【技术特征摘要】
1.一种离子注入工序，应用于制备具有阱区的一半导体复合结构；其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，所述衬底包括高压区、低压区和存储区，所述高压区中包括相互隔离的第一PMOS预制备区和第一NMOS预制备区，所述低压区中包括相互隔离的第二PMOS预制备区和第二NMOS预制备区；步骤S2，采用N型的一第一离子注入工艺于所述第一PMOS预制备区内注入形成过注入N阱；步骤S3，采用P型的一第二离子注入工艺对所述高压区、所述低压区和所述存储区进行注入，使得所述第一PMOS预制备区内的所述过注入N阱转化为标准N阱，并在所述第一NMOS预制备区、所述第二NMOS预制备区和所述存储区内分别形成一标准P阱，以及在所述第二PMOS预制备区内形成反型注入P阱；步骤S4，采用P型的一第三离子注入工艺对所述第二PMOS预制备区内进行注入，使得所述第二PMOS预制备区内的所述反型注入P阱转化为标准N阱；其中，所述第三离子注入工艺的注入剂量大于所述第二离子注入工艺。2.根据权利要求1所述的离子注入工序，其特征在于，所述第一离子注入工艺的注入元素为砷。3.根据权利要求2所述的离子注入工序，其特征在于，所述第一离子注入工艺的注入剂量为3.8*...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕凌剑，潘冬，刘超，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42