改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法；在高能和低能注入之间，通过利用等离子体刻蚀调节光刻窗口的尺寸，包括以下步骤：步骤一、利用光刻形成倒置阱注入光刻胶窗口；步骤二、高能离子注入；步骤三、利用离子体刻蚀扩大光刻胶窗口；步骤四、低能离子注入；步骤五、去光刻胶。本发明专利技术在高能和低能注入之间调节光刻窗口的尺寸，缩小高能及低能注入之间的宽度的差异，改善了LDMOS沟道杂质分布的均匀性。从而改善了LDMOS器件性能的一致性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路制造技术，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件LDMOS的制造方法。
技术介绍
在功率及高压集成电路中，常常会利用低压倒置阱注入来作为高压LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体器件)的体区(body)注入(如图1所示)。倒置阱注入一般包括高能量的阱注入和低能量的开启电压调节注入。在注入中使用的光刻胶厚度都大于0. 5微米，且LDMOS器件的体区图形密度都比较低，所以LDMOS的光刻胶窗口边沿的倾斜角度一般都很大，而且光刻胶倾斜角度会随着光刻机的不同和器件的沟道方向发生变化。由于光刻胶倾斜角度的存在，在倒置阱注入时，高能注入的穿透能力较强，注入的宽度较宽，而低能注入的穿透能力较弱，注入的宽度也较窄。在这种情况下，在LDMOS的沟道区域，由于高能及低能注入的实际区域存在差异，沟道的表面杂质浓度会分布不均勻(如图2所示)。而且杂质浓度的分布会随着光刻工艺条件及器件放置方向的变化而变化。从而严重影响器件性能一致性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法， 它可以缩小高能及低能注入之间的宽度的差异，改善了 LDMO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑜，罗啸，吴智勇，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：