一种开方后硅块的检测方法技术

本发明专利技术的目的是一种开方后硅块的检测方法，该硅块的检测方法包括以下步骤：(1)硅块材料初步筛选，(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，能够对硅块的表面进行检测，将不合格的硅块进行筛除，提高硅块的合格率，降低硅板加工损坏率，降低生产加工的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种开方后硅块的检测方法
本专利技术涉及到硅材料
，特别是指对硅料的提纯检测方面的应用，尤其涉及到一种开方后硅块的检测方法。
技术介绍
随着我国经济的发展，能源的利用和发展进入到了新的革新时代，太阳能发电成为新的能源技术，太阳能发电包括光热发电和光伏发电，但是这种新型的太阳能发电需要的关键是太阳能电池，利用太阳能电池进行能量的转换和储存，这就需要大量的硅电池板，同时电池板中硅的纯度要求一般较高，在使用和投入生产时硅块的质量不能得到绝对的把关，导致加工中出现硅块的硅含量不纯和表面达不到相应的要求，以致出现加工后的硅块出现质量问题，提高硅板加工损坏率，提高生产加工的成本。因此，提供一种开方后硅块的检测方法，以期能够通过对开方后的硅块的检测方法进行改进，对硅块的表面进行检测，将不合格的硅块进行筛除，提高硅块的合格率，降低硅板加工损坏率，降低生产加工的成本，就成为本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种开方后硅块的检测方法，以期能够通过对开方后的硅块的检测方法进行改进，对硅块的表面进行检测，将不合格的硅块进行筛除，提高硅块的合格率，降低硅板加工损坏率，降低生产加工的成本。为解决
技术介绍
中所述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种开方后硅块的检测方法，该硅块的检测方法包括以下步骤：(1)硅块材料初步筛选，将开方后的小方锭的筛选的边宽尺寸为155—157.5mm，将不合尺寸的硅块筛除，以备后续检测。(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，且硅块的表面平整度<0.5mm，测试时，使用WT2000系列测试仪测试非坩埚面，先设置扫描宽度2mm，、寻找9个测试点，然后在硅块的顶部和底部以少子寿命为0.5μs画线，然后记录测试小方锭的少子寿命的平均值。(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，其中小锭电阻率ρ>0.4ohm.cm，少子寿命局部τ≥0.5μs。优选地，所述的步骤3中的硅块材料精筛中对于整个大锭低电阻的电阻率均值ρ<0.2ohm.cm，通过电阻率对硅块的纯度进行检测，能够通过电阻率的值进行直接筛选，降低筛选的难度，提高筛选精度。优选地，所述的步骤3中的硅块材料精筛中对于整个大锭少子寿命的少子寿命均值τ≥0.2μs，且单点少子寿命值τ＜0.5μs，通对整个大锭少子寿命的均值限定，以实现对硅料的检测。优选地，所述的步骤2中对于硅块的表面进行扫描时的扫描速度设为5s/次，且扫描采集3次，能够通过多次扫描，提高扫描精度，以提高检测的准确程度。本专利技术的有益效果是：1)、对硅块的表面进行检测，将不合格的硅块进行筛除，提高硅块的合格率。2)、降低硅板加工损坏率，降低生产加工的成本。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面将对本专利技术作进一步的详细介绍。一种开方后硅块的检测方法，该硅块的检测方法包括以下步骤：(1)硅块材料初步筛选，将开方后的小方锭的筛选的边宽尺寸为155—157.5mm，将不合尺寸的硅块筛除，以备后续检测。(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，且硅块的表面平整度<0.5mm，测试时，使用WT2000系列测试仪测试非坩埚面，先设置扫描宽度2mm，、寻找9个测试点，然后在硅块的顶部和底部以少子寿命为0.5μs画线，然后记录测试小方锭的少子寿命的平均值。(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，其中小锭电阻率ρ>0.4ohm.cm，少子寿命局部τ≥0.5μs。进一步的，所述的步骤3中的硅块材料精筛中对于整个大锭低电阻的电阻率均值ρ<0.2ohm.cm，通过电阻率对硅块的纯度进行检测，能够通过电阻率的值进行直接筛选，降低筛选的难度，提高筛选精度。进一步的，所述的步骤3中的硅块材料精筛中对于整个大锭少子寿命的少子寿命均值τ≥0.2μs，且单点少子寿命值τ＜0.5μs，通对整个大锭少子寿命的均值限定，以实现对硅料的检测。进一步的，所述的步骤2中对于硅块的表面进行扫描时的扫描速度设为5s/次，且扫描采集3次，能够通过多次扫描，提高扫描精度，以提高检测的准确程度。以上只通过说明的方式描述了本专利技术的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本专利技术的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述描述在本质上是说明性的，不应理解为对本专利技术权利要求保护范围的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开方后硅块的检测方法，其特征在于：该硅块的检测方法包括以下步骤：(1)硅块材料初步筛选，将开方后的小方锭的筛选的边宽尺寸为155—157.5mm，将不合尺寸的硅块筛除，以备后续检测。(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，且硅块的表面平整度<0.5mm，测试时，使用WT2000系列测试仪测试非坩埚面，先设置扫描宽度2mm，、寻找9个测试点，然后在硅块的顶部和底部以少子寿命为0.5μs画线，然后记录测试小方锭的少子寿命的平均值。(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，其中小锭电阻率ρ>0.4ohm.cm，少子寿命局部τ≥0.5μs。

【技术特征摘要】
1.一种开方后硅块的检测方法，其特征在于：该硅块的检测方法包括以下步骤：(1)硅块材料初步筛选，将开方后的小方锭的筛选的边宽尺寸为155—157.5mm，将不合尺寸的硅块筛除，以备后续检测。(2)然后对硅块的表面进行少子寿命测试，且硅块的表面平整度<0.5mm，测试时，使用WT2000系列测试仪测试非坩埚面，先设置扫描宽度2mm，、寻找9个测试点，然后在硅块的顶部和底部以少子寿命为0.5μs画线，然后记录测试小方锭的少子寿命的平均值。(3)硅块材料精筛，通过对小锭的均值进行范围筛选，将不合格的硅块小锭进行去除，其中小锭...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞豪威，梁庭卫，
申请(专利权)人：安徽爱森能源有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34