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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种离子注入工序，包括：提供一衬底；采用N型的一第一离子注入工艺于第一PMOS预制备区内注入形成过注入N阱；采用P型的一第二离子注入工艺对高压区、低压区和存储区进行注入，使得第一PMOS预制备区内的过注入N...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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