半导体器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有若干个MOS器件，其中，至少两个MOS器件具有不同的特征尺寸；2）量测得到晶圆内MOS器件的特征尺寸的分布；3）使晶圆沿平行于其表面的方向移动，并使用离子束以扫描的方式对各MOS器件进行晕环离子注入，离子束扫描的方向与晶圆移动的方向相垂直；其中，对特征尺寸大的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量小于对特征尺寸小的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量。本发明专利技术的半导体器件结构的制备方法，通过控制对特征尺寸大的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量小于对特征尺寸小的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量，可以使得晶圆上的MOS器件具有概呈相同的电气特性。

Semiconductor device structure and its preparation method

The present invention provides a semiconductor device structure and preparation method thereof, which comprises the following steps: 1) providing a wafer with a plurality of MOS devices, the formation of which at least two wafer, MOS devices with different feature sizes; 2) measuring the distribution feature size within wafer MOS devices; 3) to the wafer move along the direction parallel to the surface, and the use of ion beam to scan the positions of the MOS device for halo ion implantation, ion beam scanning direction and perpendicular to the direction of movement of the wafer; among them, the feature size of MOS device for large halo ion implantation dose less than that of the MOS device feature size small the dose injected halo ion implantation. Method of manufacturing a semiconductor device structure of the invention, by controlling the feature size of MOS devices for the halo ion implantation dose is less than the feature size of MOS device small dose injection halo ion implantation, can make the MOS device on the wafer is almost the same with the electrical characteristics.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及其制备方法
本专利技术属于半导体制造
，特别是涉及一种半导体器件结构及其制备方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构被广泛的运用于半导体集成电路(IC)的制程中，MOSFET器件的的电气特性与栅极氧化层的厚度(GOXTHK)、源/漏极间距离(关键尺寸，即MOSFET器件的栅极宽度，亦即MOSFET器件中源漏区之间的沟道长度)与离子注入工艺有着密切的关系。为了减小器件的沟道效应，目前一般均会对MOSFET器件进行晕环离子注入(Haloimplant)，以在MOSFET器件的沟道内形成环形晕环注入区域。请参阅图1，,其中，图1中所述晶圆11右侧的竖直实线双箭头表示所述晶圆11移动的方向，所述晶圆11左侧的水平虚线双箭头表示所述离子束12的扫描方向，现有对MOSFET器件的具体方法为：将晶圆11竖直放入离子注入机台内，所述晶圆11待注入面朝向离子束12的方向；在使用离子束12对所述晶圆11的表面进行晕环离子注入的同时，所述晶圆11上下运动，且所述离子束12在扫描电极13的作用下左右来回，以从上至下、从左至右对所述晶圆11进行晕环离子注入。对所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述半导体器件结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆内形成有若干个MOS器件，其中，至少两个所述MOS器件具有不同的特征尺寸；2)量测得到所述晶圆内所述MOS器件的特征尺寸的分布；3)使所述晶圆沿平行于其表面的方向移动，并使用离子束以扫描的方式对各所述MOS器件进行晕环离子注入，所述离子束扫描的方向与所述晶圆移动的方向相垂直；其中，对特征尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量小于对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量，以使得所述晶圆上的所述MOS器件具有概呈相同的电气特性。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述半导体器件结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆内形成有若干个MOS器件，其中，至少两个所述MOS器件具有不同的特征尺寸；2)量测得到所述晶圆内所述MOS器件的特征尺寸的分布；3)使所述晶圆沿平行于其表面的方向移动，并使用离子束以扫描的方式对各所述MOS器件进行晕环离子注入，所述离子束扫描的方向与所述晶圆移动的方向相垂直；其中，对特征尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量小于对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量，以使得所述晶圆上的所述MOS器件具有概呈相同的电气特性。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述晶圆在对特征尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入时的移动速率大于在对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入时的移动速率，且所述离子束在对特制尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入时的扫描频率与在对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入时的扫描频率相同。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述晶圆在对特征尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入时的移动速率与在对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入时的移动速率相同，且所述离子束在对特制尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入时的扫描频率小于在对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入时的扫描频率。4.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述晶圆在对特征尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入时的移动速率大于在对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入时的移动速率，且所述离子束在对特制尺寸大的所述MOS器件进行晕环离子注入时的扫描频率小于在对特征尺寸小的所述MOS器件进行晕环离子注入时的扫描频率。5.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述晶圆的表面包括第一区域及位于所述第一区域外围的第二区域，其中，所述第一区域内的所述MOS器件的特征尺寸均相同，所述第二区域内所述MOS器件的特征尺寸自所述第一区域至所述晶圆的边缘逐渐减小，且所述第二区域内的所述MOS器件的最大特征尺寸小于或等于所述第一区域内的所述MOS器件的特征尺寸。6.根据权利要求5所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，步骤3)包括如下步骤：3-1)沿所述晶圆移动的方向将所述晶圆的表面划分为第一扫描区域及第二扫描区域，其中，所述第一扫描区域位于所述晶圆的中部，且所述第一扫描区域的宽度等于所述第一区域的宽度；所述第二扫描区域位于所述第一扫描区域的两侧；3-2)使所述晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34