半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，例如，存在使用加热装置加热处理室内的衬底、使在衬底的表面成膜的薄膜中的组成、晶体结构变化的退火处理。在最近的半导体器件中，3DNAND等器件构造的三维化正在推进，需要对形成为纵横比(AspectRatio，以下，称为A/R)高的图案形状的膜进行改质。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，难以对形成为纵横比高的图案形状的膜均匀地进行改质，在利用灯加热进行的改质(FlashLampAnneal：FLA)、利用线圈加热器等的加热进行的改质(加温退火)中，改质仅停留在膜的表面，难以对形成在深凹槽等图案的深处的膜进行处理。本专利技术的目的在于提供一种能够进行均匀的衬底处理的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，所述技术具有：将衬底备于处理室中的工序，其中，所述衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在所述绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将所述...
【技术保护点】
半导体器件的制造方法，包括下述工序：将衬底备于处理室中的工序，其中，所述衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在所述绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体器件的制造方法，包括下述工序：将衬底备于处理室中的工序，其中，所述衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在所述绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将所述衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理所述衬底的第一处理工序；在所述第一处理工序后，通过从所述加热装置供给的所述电磁波而将所述衬底从所述第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序；及在维持所述第二温度的同时，在比所述第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理所述衬底的第二处理工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述加热装置具有：设置在所述处理室的侧面、发出所述电磁波的电磁波振荡器；和与所述处理室呈同心圆地设置、通过电阻加热而发热的加热器，所述第一处理工序使用所述电磁波振荡器和所述加热器中的任一者或两者将所述衬底升温。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理对象膜为非晶质膜。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理工序为使所述非晶质膜结晶化的结晶化工序。5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理温度为300℃以上且500℃以下。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理温度高于500℃且为700℃以下。7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理时间为5分钟以上且30分钟以内。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理时间少于5分钟...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤浅和宏，道田典明，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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