温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种外延晶片的制造方法，其在插入于基座3的贯通孔H中的顶起销4的上面4b1相对于贯通孔H的上侧的开口H1a陷入或突出而具有阶差D的状态下，在载置在基座3上的基板W上使外延层气相外延。利用激光测定从顶起销4的上面4b1至贯通孔H的开口H1a为...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。