光波导的外延制备方法技术

本发明专利技术公开了光波导的外延制备方法，包括在所述脊上沉积硅岛。在一些实施例中，硅岛的制作可以采用选择性外延方法或常规外延方法。在一些实施例中，第二个硅岛在第一硅岛上沉积。在一些实施例中，多个硅岛分别采用不同的方法制作。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及。很多器件中用到了光波导。例如，光波导模式变换器可以在SOI硅片上制作。美国专利No. 7539373公开了一种上述模式变换器的例子。光波导的制作可以用到许多工序，例如化学刻蚀。刻蚀步骤会使得光波导表面粗糙，这种粗糙会导致入射光传输损失，降低变换器的效率。在现有技术基础上，有必要改进光波导及其制作方法。所有在本申请中提到的美国专利、专利申请和其他出版物在此都作为参考文献。关于本专利技术中要求受保护的实施例的简要说明在下文中陈述，但不作为对本专利技术范围的限制。已简要概括的本专利技术的实施例的其他细节，和/或本专利技术的其他实施例将在下文中“专利技术细节描述”中得到陈述。简要说明根据本专利技术的至少一个实施例，一个由体硅衬底，埋氧层，顶层硅和光刻胶层的硅片，依次用光刻法和刻蚀法在顶硅层上制作第一硅脊。在所述顶硅层上(包括脊区和非脊区)沉积一层氧化硅。在所述氧化硅层上刻蚀一个窗口。理想地是，所述窗口的宽度大于所述脊的宽度。用选择性外延工艺在所述窗口内沉积硅，从而在第一硅脊上形成一个硅岛。 之后，可以用化学机械抛光法(CMP)平坦化所述硅片的表面。如果需要多层脊/硅岛，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光波导的外延制备方法，包括：一个带脊的硅片；在所述硅片上沉积氧化层，所述氧化层覆盖了所述脊；去除所述氧化层的一部分，从而在所述脊上形成一个窗口，所述窗口比所述脊更宽；用选择性外延方法在所述窗口内、所述脊上沉积硅层，所述硅层构成位于所述脊上的第一硅岛的母体；对所述硅层加工成形，得到所述第一硅岛。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，李小刚，王浙辉，
申请(专利权)人：上海圭光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31