一种锥形多层脊波导的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种合理利用等离子体刻蚀中的微负载效应制作锥形多层脊波导的方法。本发明专利技术公开的制作方法，工艺实施顺序是先浅刻蚀后深刻蚀。所述的浅刻蚀在硅片的表面单晶硅层上形成刻蚀深度由浅到深的硅槽，利用填充物填充所述硅槽，同时对硅片表面进行平坦化。后续的深刻蚀用来定义锥形多层脊波导的其它锥形台阶以及定义脊波导的目标器件区域。本发明专利技术公开的制作方法无需克服等离子体刻蚀中的微负载效应，简化了工序。形成的脊波导位于非底层和非顶层的台阶的高度从耦合端到压缩端逐渐减小。这种特殊的结构形式可以有效的减小脊波导的传输损耗，同时提高脊波导的耦合效率。

【技术实现步骤摘要】
一种锥形多层脊波导的制作方法
本专利技术涉及一种光波导的制作方法，尤其是一种锥形多层脊波导的制作方法。
技术介绍
在传统的多层脊波导中，追求各台阶高度沿波导纵向稳定不变，即不同刻蚀线宽的沟槽深度一致。而由于等离子体刻蚀工艺中的微负载效应，不同刻蚀线宽处的刻蚀深度出现很大的差异，这与传统的多层脊波导器件中沟槽刻蚀深度相等的要求相悖。为实现传统的多层脊波导，就必须克服这一微负载效应，从而增加工艺难度。等离子体刻蚀的微负载效应导致的刻蚀深度差异成为传统的多层脊波导器件性能下降的原因。本专利技术公开的一种锥形多层脊波导的制作方法，无需克服微负载效应，反而合理的利用等离子体刻蚀的微负载效应，制造出一种具有低传输损耗和高耦合效率的锥形多层脊波导。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种锥形多层脊波导的制作方法。本专利技术通过下述技术方案予以实现：步骤1：采用等离子体刻蚀工艺，在起始硅片表面上进行刻蚀。即根据第一掩膜图形去除硅片表面的一部分物质，所述第一掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，形成深度沿脊波导耦合端至压缩端逐渐变大的若干硅槽和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锥形多层脊波导的制作方法，所述脊波导包括耦合段和压缩端，包括以下步骤：步骤1：采用等离子体刻蚀工艺，在起始硅片表面上进行刻蚀。即根据第一掩膜图形去除硅片表面的一部分物质，所述第一掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，形成深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的若干硅槽和位于硅槽之间的硅台面；步骤2：用填充物填充步骤1中所述硅槽，并对所述硅片表面进行平坦化；步骤3：根据第二掩膜图形去除硅片表面的另一部分物质，所述第二掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，再次得到深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的硅槽，所述硅槽紧靠步骤1中形...

【技术特征摘要】
1.一种锥形多层脊波导的制作方法，所述脊波导包括耦合段和压缩端，包括以下步骤：步骤1：采用等离子体刻蚀工艺，在起始硅片表面上进行刻蚀，即根据第一掩膜图形去除硅片表面的一部分物质，所述第一掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，形成深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的若干硅槽和位于硅槽之间的硅台面；步骤2：用填充物填充步骤1中所述硅槽，并对所述硅片表面进行平坦化；步骤3：根据第二掩膜图形去除硅片表面的另一部分物质，所述第二掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，再次得到深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的硅槽，所述硅槽紧靠步骤1中形成的硅槽；步骤4：用填充物填充步骤3中所述硅槽，并对所述硅片表面进行平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，叶果，李小刚，
申请(专利权)人：上海圭光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：