【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到硅基单片光电子集成技术，尤其涉及到，可利用完全标准CMOS工艺实现。
技术介绍
集成电路的集成度按照摩尔定律每两年翻一番的速度飞速向前发展，晶体管尺寸和互连线尺寸同步缩小使芯片集成度越来越高。随着集成度的提高，单个晶体管的延时越来越小，然而互连线的延时却越来越大。这是因为互连线尺寸的减小使互连线电阻增加，虽然目前采用铜互连代替以前的铝互连能在一定程度上减小电阻和互连线的电迁移率问题，然而当互连线尺寸进一步减小时，铜互连仍然遇到了延时和功耗的瓶颈。此外，随着铜互连线尺寸的减小，表面散射越来越严重从而使互连线电阻进一步增加。当互连线宽度小于50nm时，这种表面散射的影响将变得非常显著，并且严重依赖于金属淀积技术。这些电互联固有的电阻、延时、功率损失及电磁干扰等问题使人们把目光转向了光互联。片上光互联能解决电互联固有的瓶颈，可用于系统芯片中时钟信号传输，解决信号的相互干扰和时钟歪斜问题。在硅基光电子集成回路中，片上光互联是这样来实现的电信号先驱动硅基发光器产生光信号，光信号通过硅基光波导传输到硅基光探测器，硅基光探测器再将光信号转化成电信号。硅基光电...
【技术保护点】
一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：多层金属和多层金属间氧化层；多层金属作为覆盖层，而多层金属间氧化层作为脊形波导芯层；由于发光二级管和探测器二极管均可以通过硅衬底上的有源区和阱形成，因此该结构脊形光波导可与光源和探测器集成；其 特征在于，其结构包括：一硅衬底；一氧化隔离层，该氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一ＰＳＧ磷硅玻璃，该ＰＳＧ磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属，该第一层金属制作在ＰＳＧ磷硅玻璃 上，作为波导下包层；第一层氧化层，该第一层氧化层制作在第一层...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘达，黄北举，顾明，刘海军，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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