【技术实现步骤摘要】
本专利技术设计一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器，具体是指在InP基材料中制作掩埋型一维λ/4相移光栅，刻蚀二维孔阵列光子晶体形成横向波导结构的一种光子晶体波导激光器。
技术介绍
光子晶体的概念于1987年提出，源自半导体物理中的电子能带，在介电系数(或折射率)成周期排列的材料中，电磁波经材料散射后形成相长和相消的叠加光线，各方向的光完全相消的狭长波长带区，类似于半导体中的电子禁带，这个波长范围的光不能通过该晶体，形成光子禁带。破坏周期性即可在光子晶体中引入缺陷(或杂质)，与缺陷能级吻合的光子被限制在缺陷位置否则迅速衰减。缺陷有点缺陷和线缺陷，点缺陷形成微腔，线缺陷形成波导，支持频率在光子禁带范围内的波通过光子晶体传输。相比于全内反射波导，光子晶体波导具有更加优越的横向限制能力，由其制作的弯曲波导可大大减小大角度弯曲处产生的辐射损耗，可制作纳米尺寸的器件。制作高Q值、小模体积纳米尺寸的半导体激光器是集成光学中的一个重要的研究领域，由于光子晶体所具有的特殊性质从而吸引人们制作各种类型的光子晶体激光器。有两种不同工作原理的二维量子阱光子晶体激光器，一种是基于光子...
【技术保护点】
一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器，其特征在于，其中包括： 一衬底； 一过渡层，该过渡层用金属有机化学气相淀积方法生长在衬底上； 一ＩｎＧａＡｓＰ下势垒层，该ＩｎＧａＡｓＰ下势垒层生长在过渡层上； 一多量子阱有源区，该多量子阱有源区生长在ＩｎＧａＡｓＰ下势垒层上； 一ＩｎＧａＡｓＰ上势垒层，该ＩｎＧａＡｓＰ下势垒层生长在多量子阱有源区上；该下势垒层、量子阱有源区、上势垒层三层构成激光器的波导区； 一一维λ／４相移光栅，该一维λ／４相移光栅用电子束曝光和反应离子刻蚀的方法刻蚀在ＩｎＧａＡｓＰ上势垒层上； 一ＩｎＰ包层，该ＩｎＰ包层生...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵致民，许兴胜，陈弘达，李芳，刘育梁，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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