【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种脊形波导式半导体光器件，尤其涉及一种。
技术介绍
传统的脊形波导式半导体激光器的剖面图如图9所示，包括具有脊形波导突起8的晶片1，脊形波导突起8的两侧表面形成有二氧化硅钝化膜2，而最后制作P型电极3覆盖在晶片1的最上表面，N型电极3＇形成在晶片1的底部。其制作方法采用干法RIE刻蚀或者化学腐蚀方法腐蚀出脊形波导突起8，然后通过PECVD生长一层二氧化硅钝化膜2，再刻蚀掉脊形波导突起8的上表面部分的二氧化硅钝化膜2。这种工艺方法简单，但缺点是刻蚀出来的脊形波导突起8的高度通常在2μm左右，这样，脊形波导突起8的顶层与刻蚀停止层之间的高度差明显，而且腐蚀出的脊形波导突起8的两侧面通常陡峭或者向内收缩形成倒梯形结构，这样P型电极3难以覆盖到脊形波导突起8的两侧，在半导体激光器芯片工艺操作和封装过程中，容易损伤脊形波导突起8而导致芯片失效，可靠性差，串联电阻大，在大电流的情况下还容易烧断电极。
技术实现思路
专利技术目的为克服以上缺点，本专利技术提供一种封装时脊形波导突起不易受损、欧姆接触好、工艺简单和可靠性好的。为实现以上专利技术目的，本专利技术提供一...
【技术保护点】
一种脊形波导式半导体激光器，包括具有脊形波导突起（８）的脊形波导晶片（１），其特征在于，位于脊形波导突起（８）的两侧自下而上包括：一层二氧化硅钝化膜（２）和一层聚酰亚胺膜（４），且聚酰亚胺膜（４）的上表面高于脊形波导突起（８）的上表面，Ｐ型电极（６）覆盖在所述脊形波导突起（８）的上表面以及位于其两侧的聚酰亚胺膜（４）的上表面并形成欧姆接触，Ｎ型电极（６′）形成在脊形波导晶片（１）的底部表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李络，周耀辉，
申请(专利权)人：深圳新飞通光电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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