【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种激光二极管的控制回路，尤指一种高速且在低电压操作下的激光二极管控制回路，通过此可依参考电流匹配得到输出电流，使得激光二极管驱动电路的工作范围克服低电压操作的限制。
技术介绍
现今电子产业发展一日千里，电子产品的效能要求越来越高，且产品的功能多样化，以至在电路设计越来越复杂。精密复杂的电路操作在高供应电压时，不仅会造成电路高消耗功率及影响电路的反应时间，并且也会降低电路半导体制造过程的良品率。一般现有的激光二极管驱动电路，其输出驱动电压必须在一较高的电压操作，以确保该激光二极管驱动电路能可维持在一正常工作状态。其主要结构是如图1所示，包括有一高速开关单元13、一第三晶体管135、一激光二极管11及一负载电阻17。其中该高速开关单元13包括一第一晶体管131及一第二晶体管133。该第一晶体管131及第二晶体管133是可分别为一N型双载子晶体管。第一晶体管131的集极端经由连接该负载电阻17而连接至一供应电压12。该第二晶体管133的集极端连接该激光二极管11，而激光二极管11与该供应电压12连接。该第一晶体管131的基极端可接收一第一电压14...
【技术保护点】
一种激光二极管的控制回路，其特征在于，一参考电路，具有一可程序化的参考电流，依该参考电流在一第一端点产生一第一电压，在一第二端点产生一第二电压；及一驱动电路，其一第三端点连接至该参考电路的第一端点，一第四端点连接至该参考电路 的第二端点，并在一输出端产生一驱动电压及一输出电流，用以驱动该激光二极管。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：王智扬，陈有栋，
申请(专利权)人：台晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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