Ⅲ族氮化物半导体晶体和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体器件技术

提供一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器（１）中容纳至少含有Ⅲ族金属元素和碱金属元素的合金（１１）；向所述反应器（１）中导入含氮物质（１４）；在其中所述合金（１１）熔融的合金熔融液（１３）中溶解含氮物质（１４）；和生长Ⅲ族氮化物半导体晶体（１５）。由此可以提供吸收系数小的Ⅲ族氮化物半导体晶体（１５），其高效制造方法，以及发光强度高的Ⅲ族氮化物半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有小吸收系数的III族氮化物半导体晶体和其高效制造方法，以及具有高发光强度的III族氮化物半导体器件。
技术介绍
蓝宝石衬底、GaN衬底等，被用作半导体器件例如发光二极管(下面称作LED)或激光二极管(下面称作LD)的衬底。由于蓝宝石衬底具有高的绝缘性，在蓝宝石衬底的背面(指衬底上没有形成具有发光层的半导体层的表面，下同)上设置电极是不可能的。因此，在蓝宝石衬底上形成的半导体层上不但要形成p侧电极，还要形成n侧电极。在这种情况下，由于电流通过具有小厚度的半导体层，发光器件的驱动电压会变高，这是人们所不希望的。与此相对地，GaN衬底在其背面上也可设置电极，因此可以降低发光器件的驱动电压。但同时，GaN衬底的吸收系数大于蓝宝石衬底，在LED等中的GaN衬底中一部分光发射被吸收，从而降低发光强度。为解决这个问题，提出了通过利用HVPE(氢化物气相外延法)等气相生长法制造透明度高、吸收系数低的GaN晶体衬底的方法，以及通过该制造方法制造的GaN晶体衬底。但是该GaN晶体衬底的吸收系数不够小(参见例如公开的日本专利No.2000-12900(专利文献1))。同时，还提出了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：　　　　在反应器（１）中容纳至少含有Ⅲ族金属元素和碱金属元素的合金（１１）；　　　　向所述反应器（１）中导入含氮物质（１４）；　　　　在其中所述合金（１１）熔融的合金熔融液（１３）中溶解含氮物质（１４）；和　　　　生长Ⅲ族氮化物半导体晶体（１５）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木孝友，森勇介，吉村政志，川村史朗，中畑成二，弘田龙，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，森勇介，
类型：发明
国别省市：JP[日本]