半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法制造方法及图纸

在半导体基板上，使第１导电型的包覆层、活性层、第２导电型的第１包覆层及第２导电型的第２包覆层依次进行晶体生长，对上述第２导电型的第２包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于提高谐振器长度的精度的半导体激光装置制造方 法及其制造工序中的半导体激光条检查方法。
技术介绍
近年来，在以视盘播放机为首的各种领域中，以大存储容量为特征的DVD记录再现用驱动器正在快速普及。另外，人们强烈期望以往一直利用 的CD、 CD-R及CD-RW的读出也能通过相同的设备来进行。因此，作为 使用于DVD和CD记录、再现的光拾取器光源， 一般除了 DVD用的650nm 波段红色半导体激光器之外，还同时使用CD用的780nm波段红外半导体 激光器。DVD等的记录再现装置随着个人计算机等信息处理设备的小型化，需 要使其小型化及薄形化。为了实现该目标，光拾取器的小型化及薄形化是 必需的。为了实现光拾取器的小型化及薄形化，有效的是减少光学部件使 装置简单化。作为简单化的一个方法，可举出将红色半导体激光器和红外 半导体激光器集成化的方法。从装置的小型化、部件件数减少这样的观点出发，使红色半导体激光 器和红外半导体激光器在同一半导体基板上集成化后的单片(monolithi(02 波长半导体激光器近年来已批量生产。由此，不只是可以将半导体激光器 本身集中于一个部件中，还可以使准直透镜和光束分离器等的光学部件在 红色半导体激光器和红外半导体激光器之间共用，对装置的小型化、薄形 化是有效的。另外近年来，人们还要求高倍速下的写入记录，提出了一种可实现大 功率输出下的激光器动作的单片2波长激光器(例如，参见日本特开 2001-345514号公报)。另外，伴随半导体激光器的大功率输出化，为了使激光芯片的散热性得到提高，正在谋求加长作为光波导路径的谐振器。例如，在650nm波段 的半导体激光器中， 一般认为，为了保证200mW超大的光输出，需要 1000//m以上的谐振器长度。但是，随着半导体激光器的谐振器的加长，向基座(sub-moimt)组装时 的旋转误差等给光轴偏移带来的影响进一步增大。另外，相干长度的变动 幅度也增大。从而，当推进长谐振器化时，需要降低谐振器长度本身的偏 差。一般情况下，当制造半导体激光器的时候，为了将具有带状发光区域 的半导体激光晶片分离为条状，按和带方向正交的方向在晶片表面上形成 划线。接下来，沿着划线对晶片施加负载，使之裂开为条状态。还有，当 形成650nm波段半导体激光器的时候一般使用的倾斜基板裂开方法例如公 示在日本特开平09-266347号公报中。利用上述激光条两端所形成的裂开面来作为镜，镜间的距离为谐振器 长度。从而，谐振器长度的偏差由在裂开工序中产生的偏差——例如晶片 结晶方向的偏差或划线等的偏差来决定。谐振器长度的测量在裂开工序之 后，使用光学显微镜或SEM (扫描式电子显微镜)等测量器进行。但是，采用上述以往的谐振器长度测量方法，因为要对每个芯片进行 测量，所以总的测量时间变长，在制造工艺中需要成本及时间。另夕卜，就 利用显微镜的测量方法而言，对应于谐振器长度变长，需要扩大观察视野， 其结果为存在测量误差增大的担忧。
技术实现思路
鉴于上述课题，本专利技术的目的为，提供一种半导体激光装置的制造方 法及其制造工序中的半导体激光条的检査方法，可以采用简单的方法对每 个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内。本专利技术半半导体激光装置的制造方法，其特征为，在半导体基板上， 使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型 的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加 工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的 方向上裂开，形成激光条。为了解决上述课题，将在上述脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列上述脊形结构部后的列，在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上隔开间隔排列多个；上述列和在上述脊形结 构部的长度方向垂直方向上所邻接的列，在上述脊形结构部的长度方向上 错开，以使得上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方向垂 直的方向上所邻接的脊形结构部的另一端部，在上述脊形结构部的长度方 向上互相重叠，使上述脊形结构部的端部和上述邻接的脊形结构部的端部 相重叠的区域裂开。本专利技术半导体激光条的检查方法在半导体激光装置的制造方法中的裂 开工序之后进行，通过观察裂开后的部分上残留的上述脊形结构部的配置、 形状，来判定形状不良。附图说明图1A是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光条结构的平面图。 图1B是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光条结构的A-A'剖面图。图1C是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光条结构的B-B'剖面图。图2A是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光装置制造工序的平 面图。图2B是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光装置制造工序的 C-C'剖面图。图2C是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光装置制造工序的 D-D'剖面图。图3A是表示图2A之后的工序的平面图。图3B是图3A的C-C'剖面图。图3C是图3A的D-D'剖面图。图4是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光条裂开后的状态的平 面图。图5是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光条在别的位置上裂开 后的状态的平面图。图6是表示本专利技术实施方式所涉及的半导体激光条在别的位置上裂开 后的状态的平面图。具体实施例方式本专利技术半导体激光装置的制造方法，将在脊形结构部的长度方向上隔 开指定的间隔而排列脊形结构部后的列，在与脊形结构部的长度方向垂直 的方向上隔开间隔排列多个；该列和在脊形结构部的长度方向垂直方向上 所邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部 和在与脊形结构部的长度方向垂直的方向上所邻接的脊形结构部的另一端 部，在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的 脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。另外，本专利技术半导体激光条的检查方法在半导体激光装置的制造方法 中的裂开工序之后进行。通过观察裂开后的部分上残留的上述脊形结构部 的配置、形状，来判定形状不良。本专利技术半导体激光装置的制造方法及半导体激光装置的检査方法可以 将上述结构作为基本，采取如下的各种方法。也就是说，在上述半导体激光装置的制造方法中，也可以在形成上述 脊形结构部之后，在上述脊形结构部的端部区域上形成电流阻挡层以覆盖 上述第2导电型的第2包覆层。另外，上述电流阻挡层也可以含有第1导电型的半导体层。另夕卜，上述电流阻挡层也可以是含有Si、 SiNx、 Si02、 Ti02、 Ta205、 NbOx或者氢化非晶硅的单层膜，或是上述单层膜被叠层2层以上之后的介 质膜。另外，在通过上述脊形结构部裂开而形成的谐振器中的长度的偏差允 许范围为士A时，将上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方 向垂直的方向上邻接的脊形结构部的端部互相重叠的长度设为A/2。另外，在上述半导体激光条的检査方法中也可以是，如果在两端的上 述裂开后的部分中的至少一个上，未残留有在与上述脊形结构部的长度方 向垂直的方向上邻接的脊形结构部的一部分，则判断为不良。另外，也可以进行利用上述半导体激光条检查方法的检查，以及使半导体激光装置振荡、如果不产生振荡则判断为不良的特性检査。下面，对于本专利技术实施方式所涉及的半导体激光装置、其制造方法及 检査方法， 一面参照附图一面进行说明。 (本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置的制造方法，其特征为，　在半导体基板上，使第１导电型的包覆层、活性层、第２导电型的第１包覆层及第２导电型的第２包覆层依次进行晶体生长，　对上述第２导电型的第２包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，　在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；　在该半导体激光装置的制造方法中，　将在上述脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列上述脊形结构部后的列，在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上隔开间隔排列多个；　上述列和在上述脊形结构部的长度方向垂直方向上所邻接的列，在上述脊形结构部的长度方向上错开，以使得上述脊形结构部的端部和在与上述脊形结构部的长度方向垂直的方向上所邻接的脊形结构部的另一端部，在上述脊形结构部的长度方向上互相重叠；　使上述脊形结构部的端部和上述邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：鹿岛孝之，伊藤启司，牧田幸治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]