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一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一ＰＳＧ磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在ＰＳＧ磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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