基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法。在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔，通过方孔掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝形成slot波导，通过狭缝掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型slot波导结构。本发明专利技术制作的两种波导结构有着很低的传输损耗；其中undercut型slot波导，它的光场主要限制在低折射率的狭缝中，若将在中长红外波段存在特征吸收的化学物质填充在狭缝中，则可构成一个中长红外吸收型传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及中长红外低损耗光波导制备方法，特别涉及一种。
技术介绍
新世纪以来，以互联网、新一代移动通信技术为代表的IT产业极大的促进了集成光电子器件的研究和发展，而其自身的发展同样推广了它们的应用范围，从通信领域逐步拓展到了エ业、军事、能源、医疗、生物、传感等领域。特别是与目前发展成熟的CMOSエ艺相结合的硅基光电子器件为实现低成本、大規模的功能化、模块化创造了可能。迄今为止集成光学的研究主要集中在近红外波段，以1.55m为主，然而中长红外波段具有ー些独特的应用前景，也渐渐地引起了人们的重视。中长红外波段在很多领域具有潜在的应用，如光学传感、大气环境监测、自由空间光通信、生物医学工程、热成像、红外军事対抗。中长红外光(3-100 ym)以其在上述领域中的独特优势，促使研究人员将集成光学的研究推动到这一波段。而中长红外硅基光电子器件有着很多的优点远大于近红外波段的等离子体色散效应；双光子吸收现象在很大程度上减弱；硅材料在某些特定波段内(3-8 ym)的损耗较低；在エ艺上，由于器件的尺寸容限更大、エ艺降低、CMOSエ艺同样适用，所以在近红外波段内对エ艺要求颇高的slot波导、光子晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法，其特征在于：在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔（4），通过方孔（4）掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层（2），实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝（5）形成slot波导，通过狭缝（5）掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层（2），实现中长红外undercut型slot波导结构。

【技术特征摘要】
1.一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法,其特征在于在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔(4)，通过方孔(4)掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层(2)，实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝(5)形成slot波导，通过狭缝(5)掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层(2),实现中长红外undercut型slot波导结构。2.根据权利要求1所述的一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法,其特征在于所述的在SOI片上开有的一排方孔(4)是采用二次氧化和二次光刻在波导两侧开出平行且等距分布的一排方孔(4)，将方孔处深刻蚀到埋氧层(2)，利用氢氟酸溶液通过方孔掏去脊波导正下方的埋氧层(2)，实...

【专利技术属性】
技术研发人员：檀亚松，余辉，郝寅雷，李宇波，杨建义，江晓清，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：