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本发明公开了一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法。在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔，通过方孔掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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