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本发明公开了一种合理利用等离子体刻蚀中的微负载效应制作锥形多层脊波导的方法。本发明公开的制作方法，工艺实施顺序是先浅刻蚀后深刻蚀。所述的浅刻蚀在硅片的表面单晶硅层上形成刻蚀深度由浅到深的硅槽，利用填充物填充所述硅槽，同时对硅片表面进行平坦化...
该专利属于上海圭光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海圭光科技有限公司授权不得商用。

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