一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法技术

本发明专利技术涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120～150μm，半角度18～22°，深度1000±100μm，金刚石粒度600～1000#；精倒角槽直径比晶片厚度小160~180μm，半角度11°，深度1500±100μm，金刚石粒度1000~2000#。粗倒角砂轮转速2500～5000rpm；加工1～2圈；晶片转速16～20mm/s；精倒角砂轮转速3000～5000rpm；加工2～4圈；晶片转速10～15mm/s。采用本发明专利技术对晶片边缘倒角，边缘轮廓精度高，边缘质量一致性好，有效解决厚层外延生长过程中因硅片边缘缺陷导致的滑移线问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮，其特征在于，所述倒角砂轮包括数个粗倒角砂轮槽（1）和数个精倒角砂轮槽（2），粗倒角砂轮槽直径φr比待加工硅单晶片厚度T小120～150μm，粗倒角砂轮槽半角度θr为18～22°，粗倒角砂轮槽深度Dr为1000±100μm，粗倒角砂轮槽金刚石粒度为600～1000#；精倒角砂轮槽直径φf比待加工硅单晶片厚度T小160~180μm，精倒角砂轮槽半角度θf为11°，精倒角砂轮槽深度Df为1500±100μm，精倒角砂轮槽金刚石粒度为1000～2000#。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟才，陶术鹤，陈建跃，康洪亮，赵权，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：