本发明为3C‑SiC单晶外延基板的制造方法，其特征在于，其包括：氢烘烤工序，通过在氢气气氛下对单晶硅基板实施退火，去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜；外延工序，对所述氢烘烤工序后的所述单晶硅基板的表面实施碳化处理生成SiC的核，进一步...

本发明是一种单晶硅的电阻率测量方法，其测量通过MCZ法添加氮而培育出的电阻率100Ωcm以上的单晶硅的电阻率，其特征在于，通过对从所述单晶硅切出的基板在1100~1250℃的温度下进行90~240分钟的氧化热处理，在所述基板表面形成热氧...

本发明提供一种外延基板的制造方法，其使用厚度为1500μm以上的单晶Si基板，将单晶Si基板的电阻率和比值a(单晶Si基板的厚度/III族氮化物外延层的厚度)作为参数，以改变参数的方式实施III族氮化物外延层在单晶Si基板上的外延生长与...

本发明是一种Micro LED结构体，其具有以(Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;)<subgt;x</subgt;In<subgt;1‑x</s...

本发明提供一种Micro LED元件，其一边小于100μm，该Micro LED元件具有：发光元件结构，其为由(Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;)<subgt;x...

本发明是一种异质外延基板的制造方法，其特征在于，其包括：基板制造工序，以超过对应于单晶硅基板的直径而决定的厚度规格的上限且在2mm以下的厚度条件，制造单晶硅基板；外延工序，在基板制造工序中得到的单晶硅基板上使异质外延层生长，得到外延基板...

本发明是一种高频装置用基板，其是在SOI基板上形成氮化物半导体膜而成的高频装置用基板，其中，所述SOI基板是形成于基底基板上的陷阱富集层与由单晶硅构成的SOI层隔着氧化膜接合而成的TRSOI基板，所述SOI层的电阻率为1kΩ·cm以上，...

本发明提供一种外延生长用硅晶圆，其特征在于，其为由通过直拉法形成的、整面为不含空孔和位错簇的N(Neutral)区域且调整了氧沉淀核的尺寸和密度的单晶硅构成的硅晶圆，所述硅晶圆内的尺寸为18nm以上的氧沉淀核的密度小于5×10<s...

本发明为微型LED用接合型晶圆的制造方法，其通过下述工序并通过从透明基板侧照射激光将透明基板与微型LED元件分离，从而制造微型LED用接合型晶圆，使AlGaInP系的第一包层、活性层及第二包层在GaAs基板上外延生长制成外延层的工序；使...

本发明是一种晶圆的深度方向的缺陷位置的评价方法，是采用X射线形貌仪（XRT）来评价晶圆的深度方向的缺陷位置的方法，其特征在于，包括：取得XRT图像的工序，其中，所述晶圆具有表面和背面，对所述表面从右方向和左方向以成为衍射条件的入射角度来...

本发明为一种接合晶圆的接合不良部的去除方法，其为去除接合晶圆的接合不良部的方法，该接合晶圆具有具备由(Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;)<subgt;x</...

本发明是一种接合型发光元件晶圆的制造方法，其是制造去除了不良部分的接合型发光元件晶圆的方法，该制造方法的特征在于，具有以下工序：利用吸收LLO转印用激光的粘合剂将作为微型LED的发光元件结构物与对于所述LLO转印用激光呈透明的被接合基板...

本发明是一种氮化物半导体外延片的制造方法，其为具有复合基板和外延生长于复合基板上的氮化物半导体层的氮化物半导体外延片的制造方法，该复合基板具有含陶瓷基板和贴合于含陶瓷基板上的单晶层，该制造方法包括以下工序：准备具备含陶瓷基板且具有‑15...

本发明是一种微型LED特性评价用晶圆，其特征在于，具有：GaAs基板；所述GaAs基板上的一边为100μm以下的微型LED；与所述微型LED邻接的焊垫台部；所述微型LED和所述焊垫台部上的上部电极焊垫；及所述微型LED附近的所述GaAs...

本发明是一种碎屑判定方法，在晶圆的背面形成硬激光标记后，或在形成所述硬激光标记之后对所述晶圆的背面进行研磨后，判定在所述硬激光标记的周边是否产生碎屑，其特征在于，通过平整度测量机测量所述晶圆的厚度偏差的参数，然后提取包含所述硬激光标记的...

本发明是一种外延生长用基座，其是用以对主表面为（110）面的晶圆实行外延生长的基座，其特征在于，具有用以载置晶圆的袋和包围所述袋的外周部，在所述外周部设置有平坦部与隆起部，该隆起部是与所述袋相邻的部分，并具有与所述平坦部的上表面相比更突...

本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成...

本发明是3C‑SiC层叠基板的制造方法，其特征在于，具有：在第一单晶硅基板上使3C‑SiC单晶薄膜进行外延生长的步骤；在所述3C‑SiC单晶薄膜的上表面贴合支承基板的步骤；以及去除所述第一单晶硅基板以制造3C‑SiC层叠基板的步骤。目的...

本发明提供一种氮化物半导体基板，其具备：电阻率为1000Ω·cm以上的硅基板、或表面具备电阻率为1000Ω·cm以上的硅层的基底基板；及外延成膜在所述硅基板或所述硅层上的III族氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述III...

本发明是一种量子计算机用硅基板的制造方法，其中，包含以下步骤：通过使用<supgt;28</supgt;Si与<supgt;30</supgt;Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si...