本发明提供一种不产生线状缺陷的晶片的研磨方法。保持晶片于旋转可能的晶片保持板，向粘贴于旋转可能的定盘的砂纸供给研磨剂的同时，使砂纸与所述的晶片滑动接触而研磨晶片表面，在此方法中，研磨剂以近似球状的硅石作为主要成分，同时使用含有有机碱或其...

当采用有机金属汽相生长法生长ｐ型Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ时，在生长期间和／或完成生长以后，在含氧气氛中对Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原...

当采用有机金属汽相生长法生长ｐ型Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ时，在生长期间和／或完成生长以后，在含氧气氛中对Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原...

在具备反应容器（１１）、衬托器（２０）、顶杆（１３）、上侧加热装置（１４ａ）、及下侧加热装置（１４ｂ）的气相成长装置中，对上侧加热机构和下侧加热机构的加热比率进行调整。能够控制形成于顶杆附近的硅外延层的表面形状、或产生在硅外延片的背面的...

对于硼、砷或磷作为掺杂物添加至１×１０↑［１９］／ｃｍ↑［３］以上的浓度、并在背面形成了ＣＶＤ氧化膜１的硅单晶衬底ＰＷ，一边使ＣＶＤ氧化膜１残存一边通过氢氟酸处理来湿蚀刻硅单晶衬底ＰＷ的主表面上的氧化膜（步骤Ｓ５）。其次，在氢气中在９５...

本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部２４（具有由ＡｌＧａＩｎＰ所组成的双异质结构）、以及ＧａＰ光取出层２０（以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上）的发光元件晶圆，以ＧａＰ光取出层的第一主表面成为（１００）...

形成在发光元件１的化合物半导体层１００第二主表面的第二电极１６，具备接合合金化层３１与焊料层３４，该接合合金化层３１与化合物半导体层１００的第二主表面接触设置，同时用于降低与该化合物半导体层１００的接合阻抗，该焊料层３４用于将该接合金属...

本发明提供了发光元件，其具有由带隙能为２．２ｅＶ以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由ｐ型金属包层、活性层及ｎ型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述ｐ型金属包层与前述ｎ型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶...

本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜，仅存在于上述外周部的局部上。

本发明是一种静压垫，是在半导体晶片的两头研磨装置中，通过供给至原料晶片的两表面的流体的静压，将前述原料晶片以该两表面作非接触支持的静压垫，该静压垫的堤部也就是纹间表面的图案，是用来包围已经被形成于该静压垫的用以支持原料晶片侧的表面上的槽...

本发明是提供一种贴合基板的制造方法，是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法，其特征是具备：第一制程，是在前述有源层用晶圆的表面，沿着外周部，在整个圆周的内侧，设置沟槽；第二制程，是以设置有前述沟槽的面作为贴合面，来贴...

本发明涉及监控装置，以往，设备发生异常时不能参考过去的操作履历等进行处置。本发明的一种监控装置具备根据重放开始指令从事件履历ＤＢ６取得相同数据的事件履历服务器４、根据同一指令从趋势ＤＢ７取得同数据的趋势服务器５、转接同一指令的统一数据服...

在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中，使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅烷体接触，并且以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预...

本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用ＣＺ法在Ｖ－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，０．１μｍ尺寸以上的计数数目为１个／ｃｍ↑［２］以下。由此，提供一种使ＣＯＰ等缺陷的密度与尺寸更...

本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法（ＣＺ法）生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生ＯＳＦ的外侧的Ｎ区域，不存在通过Ｃｕ淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的...

本发明涉及一种切克劳斯基法（ＣＺ法）的单晶生长方法和单晶生长装置。其特征为至少在结晶生长界面近旁以包围拉晶中的单晶的形态配置由铜或比铜热传导率更高的金属所形成的冷却筒，且通过使冷却媒体在该冷却筒中流动，强制性冷却结晶成长界面近旁进行单晶...

本发明涉及直径３００ｍｍ及３００ｍｍ以上的单晶硅晶片，从表面到３微米以上的深度存在无ＣＯＰ的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过ＣＺ法掺杂氮拉制直径３００ｍｍ及３００ｍｍ以上的单晶硅时，将拉晶速度设为Ｖ［ｍｍ／ｍｉｎ］，以Ｇ［Ｋ／ｍｍ...

本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为２８°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接...

本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法（ＣＺｏｃｈｒａｌｓｋｉ　　ｍｅｔｈｏｄ－ＣＺ法）掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的Ｖ区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，是特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，...

本发明涉及一种硅外延晶片（Ｗ），其特征在于包含：单晶硅基材（１），在其主表面（１１）上具有ＣＯＰ（１００）；和在单晶硅基材（１）的主表面（１１）上通过气相外延生长形成的硅外延层（２），其中所述主表面（１１）相对于［１００］轴沿着［０１１...