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信越半导体株式会社专利技术
信越半导体株式会社共有500项专利
单晶硅基片的表面处理方法和硅外延片的制造方法技术
在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下,保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法,首先,在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次,将单晶硅基片(10),以单晶...
晶片的研磨方法及晶片研磨用研磨垫技术
本发明提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上,滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中,将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率...
贴合晶片的制造方法技术
本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32,即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学...
贴合晶片及贴合晶片的制造方法技术
本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片,在单晶硅晶片上积层了单晶硅层,其特征为,该单晶硅层的结晶面方位为{110},而且,前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外,本发明的贴合晶片的制造方法,其特征为至少使结晶面方位为{110...
晶片形状评价法、装置及器件制造法,晶片及晶片挑选法制造方法及图纸
本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置,它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状,由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1),算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b),在该...
基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延晶片的制造方法和外延晶片制造方法及图纸
本发明是在气相生长时支撑半导体衬底(W)的基座(10),在上表面上形成了在内部配置半导体衬底(W)的镗孔(11)。镗孔(11)形成具有支撑半导体衬底(W)的外周边缘部的上段镗孔部(11a)和与该上段镗孔部(11a)相比在中心侧下段形成的...
晶片的两面研磨装置及两面研磨方法制造方法及图纸
本发明的两面研磨装置至少具备有晶片保持孔的载体板;粘贴研磨布的上工作台及下工作台;粉浆供给机构;晶片保持孔内保持着晶片,一边供给粉浆,使载体板在上下工作台间运动,可同时研磨晶片表面两面,用圆连结上述上工作台的负载支点时构成圆直径的上工作...
半导体晶片的制造方法及晶片技术
本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背...
单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法技术
本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法,将生长速度控制在:在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下,通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度,及在进一步逐渐降低生长速度的情况下,在进行氧析出处理...
GaP外延片及GaP发光元件制造技术
提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片,将{01-1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状...
发光元件及其制造方法技术
本发明提供一种发光元件,其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合,既容易制造,又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层,该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层...
SOI晶片的制造方法技术
为了对应所需的SOI层(5)的厚度,调整上述结合单晶硅薄膜(15)的厚度,通过离子注入的能量,调整上述剥离用离子注入层形成步骤中的剥离用离子注入层(4)的由离子注入表面(J)开始的形成深度(dl+tx)。然后,上述剥离用离子注入层(4)...
SOI晶片的制造方法技术
本发明提供一种SOI晶片的制造方法,是在成为原料晶片的2片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层,将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合的SOI晶片的制造方法,该绝缘层的表面的PV值在1.5nm以下。本发明在制造SOI晶片时可以抑...
Zn系半导体发光元器件的制造方法技术
一种Zn系半导体发光元器件的制造方法,在基板主表面上形成由该基板所不含之In系化合物或Zn系化合物所构成之缓冲层,在该缓冲层上形成Zn系化合物所构成之发光区域,其特征在于, 在该基板之主表面上形成多晶层或非晶态层的层叠体后,在形成...
退火晶片及退火晶片的制造方法技术
本发明提供一种退火晶片及其制造方法,涉及一种对由用切克劳斯基法生长的硅单晶制作的硅晶片实施了热处理的退火晶片,其特征是,从晶片表面到至少深5μm的区域的氧化膜耐压特性的良品率在95%以上,并且在投入器件工序前的阶段,能在晶片内部检测出的...
热处理用晶片支持器具及热处理装置制造方法及图纸
本发明是提供一种不会发生由高温热处理引起的伤痕或滑移位错,且加工容易、可降低成本的热处理用晶片支持器具及热处理装置。本发明的热处理用晶片支持器具,是至少具有支持热处理的晶片的多个晶片支持构件、和保持该支持构件的支持构件支撑器的热处理用晶...
硅半导体基板及其制造方法技术
本发明是用来制造{110}面的载流子移动度,特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板,不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化,而提供一减低表面粗...
发光元件制造技术
一种发光元件,以具有发光层部的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面,在该化合物半导体的第二主表面侧,透过具有反射面的主金属层结合元件基板而构成;该反射面使来自该发光层部的光向该光取出面侧反射,其特征在于:该元件基板,是以导电型为p ...
太阳能电池及其制造方法技术
根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池,其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W↓[1]tanθ,此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向,当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时,形成在一条在所有凹槽...
制造硅外延晶片的方法和硅外延晶片技术
定义允许衬底的主平面MP的法线矢量α和在填充有填充外延层的沟槽11的纵向上的内壁平面的法线矢量β以最小旋转角度交迭的角度范围作为过渡平面法线角度范围θ,并假设包括在沟槽的纵向上的开口边缘的区域作为在其上法线矢量在过渡平面法线角度范围θ内...
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