【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
ZnO(氧化锌)系带隙能量具有3.4eV之直接跃迁型半导体。于是，ZnO或以ZnO为母物质之Zn系半导体，是极被看好作为可在蓝色至紫外区发光之发光元器件材料。然而，与使用GaAs系半导体等的发光元器件不同，由于无法低成本地制得优质的Zn系半导体构成之单晶基板，因此例如系在蓝宝石基板等的非同种基板上，使Zn系半导体构成之发光区域进行外延生长，而制造出Zn系半导体发光元器件。因此，为了确保与发光特性(发光效率、发光波长的半幅宽度等)有关的发光区域结晶性，进行了各种尝试以力求提高基板与发光区域间所形成的缓冲层之结晶性提高。关于力求提高Zn系半导体发光元器件中缓冲层结晶性的方法，例如特开2001-68485号公报揭示所述，它在蓝宝石基板上，以低于发光区域形成温度的温度来形成要成为缓冲层的单晶层叠体，之后，以和发光区域形成温度同一程度的温度实施热处理，使表面平坦化而形成缓冲层。然而，如特开2001-68485号公报所示，在低于发光区域形成温度的条件下，将要成为缓冲层之层叠体以单晶层的方式形成时，与该形成有关的形成温度与形成时间等条件必须实施严...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种Zn系半导体发光元器件的制造方法，在基板主表面上形成由该基板所不含之In系化合物或Zn系化合物所构成之缓冲层，在该缓冲层上形成Zn系化合物所构成之发光区域，其特征在于，在该基板之主表面上形成多晶层或非晶态层的层叠体后，在形成该发光区域前，将该层叠体实施热处理而形成该缓冲层。2.如权利要求1所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，该基板为单晶基板，该层叠体，系沿该单晶基板的主轴方向取向之晶粒所构成的多晶层。3.如权利要求2所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，该层叠体，系使从基板主表面上延伸到该层叠体最表面之柱状晶粒，密集排列在基板的主表面上而构成。4.如权利要求3所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，在该层叠体的最表面，使柱状晶粒至少与相邻接的柱状晶粒之间形成间隙。5.如权利要求1所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，该基板为单晶基板，该层叠体是非晶态层，将该层叠体实施热处理而成多晶的缓冲层。6.如权利要求1所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，将该热处理温度设定成比层叠体的形成温度为高温。7.如权利要求1或2或5所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，该基板为蓝宝石基板。8.如权利要求1所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，该基板为玻璃基板。9.如权利要求1所述的Zn系半导体发光元器件的制造方法，其特征在于，该缓冲层为氧化铟锡或氧化锌所构成。10.一种Zn系半导体发光元器件的制造方法，在基板主表面上，形成由该基板所不含之In系化合物或Zn系化合物所构成之缓冲层，在该缓冲层上形成Zn系化合物所构成之发光区域，其特征在于，以比发光区域形成温度要低的温度来形成In系化合物或Zn系化合物所构成的层叠体后，在形成发光区域前，将该层叠体以比发...
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