半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置（１）装备有ｎ－类型包层（３）；安置在ｎ－类型包层（３）上的ｐ－类型包层（７）；以及由氮化物构成并安置在ｎ－类型包层（３）与ｐ－类型包层（７）之间的活性层（５），其中其特征在于通过正交于ｎ－类型包层（３）和活性层（５）之间的界面的轴与活性层（５）的ｃ－轴形成角度，以及通过正交于活性层（５）和ｐ－类型包层（７）之间的界面的轴与活性层（５）的ｃ－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光装置。
技术介绍
最近几年，关于短波半导体发光装置的开发蓬勃发展，短波半导体发光装置包括蓝光发射二极管(LEDs)和紫外光LEDs。相对较大带隙的材料III-V族化合物如InGaN和AIGaN以及II-VI族化合物如ZnO都理想适用于半导体发光装置。在这类半导体发光装置的一个实例中，在含有AlGaN的n-类包层与同样含有AlGaN的p-类包层之间安置有包含InGaN的活性层。在另一个实例中，在含有MgZnO的n-类包层与同样含有MgZnO的p-类包层之间安置有包含ZnO的活性层。由III-V族化合物如InGaN或者II-VI族化合物如ZnO构成的晶体在很多情况下构成六方结构。在具有由六方系晶体化合物构成的活性层的半导体发光装置中，已知在活性层的异质界面上会发生自发电场如压电场的形成。这种自发电场越大，在活性层中的电子和空穴的波函数的重叠部分变得越窄，降低了电子和空穴重新复合的概率。该装置的发光效率因此降低了自发电场继续增长的程度。由于活性层越厚，自发电场越强，因此为了抑制由于自发电场导致发光效率降低而限制了活性层(尤其是在量子阱结构的势阱层)的厚度。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，具有：　　　　第一导电型半导体层，其由六方化合物构成；　　　　第二导电型半导体层，其由六方化合物构成并安置在第一导电型半导体层上方；和　　　　活性层，其由六方化合物构成并安置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；　　　　所述发光装置的特征在于：　　　　正交于活性层与第一导电型半导体层的界面的轴和正交于活性层与第二导电型半导体层的界面的轴中的每个都与活性层中的ｃ－轴形成角度，每个角度都大于零。

【技术特征摘要】
JP 2004-4-30 2004-136265;JP 2005-2-1 2005-0254331.一种半导体发光装置，具有第一导电型半导体层，其由六方化合物构成；第二导电型半导体层，其由六方化合物构成并安置在第一导电型半导体层上方；和活性层，其由六方化合物构成并安置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；所述发光装置的特征在于正交于活性层与第一导电型半导体层的界面的轴和正交于活性层与第二导电型半导体层的界面的轴中的每个都与活性层中的c-轴形成角度，每个角度都大于零。2.一种半导体发光装置，具有基材，其由六方化合物构成并具有主表面；第一导电型半导体层，其由六方化合物构成并在基材主表面上外延生长；活性层，其在第一导电型半导体层上外延生长并由六方化合物构成；和第二导电型半导体层，其由六方化合物构成并在活性层上外延生长；其中所述半导体发光装置的特征在于正交于基材主表面的轴与基材的c-轴形成的角度大于零。3.如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于基材的主表面包括基材的{1010}面、{1124}面和{1120}面中的任一个面。4.如权利要求2或3所述的半导体发光装置，其特征在于还装备有第一电极，其安置在基材反面上并与基材欧姆接触；和第二电极，其安置在第二导电型半导体层上并与第二导电型半导体层欧姆接触。5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于第一导电型半导体层、第二导电层半导体层和活性层的六方化合物包括II族原子和VI族原子。6.如权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于II族原子为锌原子。7.如权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于六方化合物为ZnO基化合物。8.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和活性层的六方化合物包括III族原子和V族原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：上松康二，上野昌纪，弘田龙，中幡英章，奥井学，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]