半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置。本公开提供一种能提高电特性的半导体装置。半导体装置具有：阻挡层，所述阻挡层的上表面具有氮极性；所述阻挡层之上的沟道层，所述沟道层的上表面具有氮极性；所述沟道层之上的氮化硅膜；所述氮化硅膜之上的电介质膜；以及所述电介质膜之上的栅电极，所述电介质膜的相对介电常数比所述氮化硅膜的相对介电常数高。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、提出了一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor：hemt)，其具有在阻挡层之上形成有沟道层的结构。此外，还提出了一种晶体管，其为了提高漏极电流而将相对介电常数比氮化硅(sin)高的介电常数膜(以下，有时会称为高介电常数膜)用于栅极绝缘膜。高介电常数膜通过沉积和沉积后的热处理而形成。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2007－329483号公报

5、专利文献2：日本特表2010－510680号公报

6、即使将高介电常数膜用于具有在阻挡层之上形成有沟道层的结构的hemt的栅极绝缘膜，也难以实现进一步的电特性的提高。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种能提高电特性的半导体装置。

2、本公开的半导体装置具有：阻挡层，所述阻挡层的上表面具有氮极性；所述阻挡层之上的沟道层，所述沟道层的上表面具有氮极性；所述沟道层之上的氮化硅膜；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

10.一种半导体装置，具有：

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：向井章，冈田政也，真壁勇夫，早坂明泰，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：