芯片型LED制造技术

一种芯片型ＬＥＤ，其由绝缘基板（１２），在其上面搭载的发光二极管芯片（１５）；和在上述绝缘基板的上面按照密封上述发光二极管芯片而设置的透明体（１６）构成的封装体所组成，由上述发光二极管芯片所发出的光在按照横向射出的情况下，将该芯片型ＬＥＤ以薄型构成。将上述发光二极管芯片（１５），搭载在上述绝缘基板的上面，使该发光二极管芯片中的阳极电极（１５ｆ）向下，阴极电极（１５ａ）向上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种将作为光源的发光二极管芯片，用透明体制成的封装体密封后而成构造的芯片型LED。
技术介绍
图4是表示以往的芯片型LED的立体图，该芯片型LED1，在芯片型绝缘基板2的上面，形成一对端子电极3、4，在这一对端子电极3，4中的一个的端子电极3的上面，搭载发光二极管芯片5，使其阳极电极5b向上，阴极电极5a按照与上述一个的端子电极3保持电连接而向下，使上面的阳极电极5b和另一个的端子电极4之间通过图中未示的细金属线的引线连接等保持电连接，还有，在上述绝缘基板2上面，设置有透明体封装体6，密封上述发光二极管芯片5，形成这样的构成。(参照专利文献1)。而且，过去，将这种构成的多个芯片型LED，在便携电话机等当中，对于设置排列成矩阵状的多个按键开关作为背光光源使用的情况下，其构成如图5所示，通过在便携电话机A内的各按键开关B的内侧的电路基板C中的上述各按键开关B之间的部位，配设上述构成的芯片型LED1，使上述各按键开关B部分，利用从各芯片型LED1的封装体6的侧面横向发射的光进行照明。但是，上述构成的芯片型LED1中，发光二极管芯片5所发出光中的大部分，从该发光二极管5的侧面向横向射出，但是由于一部分光，也从上面的阳极电极5b向上发射，因此从发光二极管芯片5的侧面射出的光量，被减少了一部分的光从上面的阳极电极5b向上发射的量。换言之，对上述各按键开关B的部分的照明，也消弱了发光二极管芯片5所发出光的一部分从上面的阳极电极5向上射出的量。这里，最近，将上述构成的芯片型LED1作为背光光源使用的情况下，在其封装体6的上面，设置凹部，其按照将从上述发光二极管5的上面的阳极电极5所发射的光，在上述凹部沿着横向的方向曲折那样构成。然而，这样的构成，在上述封装体6内其上面和发光二极管5的上面之间，必须确保只有在上述上面设置的凹部的厚度的尺寸，因此，将设置该凹部的厚度尺寸，与上述封装体6的高度尺寸H0′相加后，由于增大了芯片型LED1的整体高度尺寸H′，在上述芯片型LED作为背光光源使用的情况下，存在不能构成薄型的问题。专利文献特开平10-50734号公报。
技术实现思路
本专利技术，就是解决上述问题，使将芯片型LED作为背光光源使用的情况下能够以薄型而构成。为解决该技术课题本专利技术之一，由绝缘基板、发光二极管、透明体组成芯片型LED；上述发光二极管搭载在上述绝缘基板的上面；上述封装体由透明体构成，该透明体在上述绝缘基板的上面按照密封上述发光二极管芯片那样而设置，上述芯片型LED的特征在于，将上述发光二极管芯片，搭载在上述绝缘基板的上面，使该发光二极管芯片的阳极电极向下、阴极电极向上。另外，本专利技术之二其特征在于，上述专利技术之一中，上述发光二极管芯片中的发光层，位于与该发光二极管芯片内接近于上述阴极电极的部位，另一方面，将上述发光二极管芯片中的侧面，从上述阴极电极一侧向阳极电极一侧内向地倾斜。还有，本专利技术之三，其特征在于，上述专利技术之一或之二中，上述绝缘基板上面至少使上述发光二极管芯片的周围部分配色为白色。(专利技术效果)发光二极管芯片，在该发光二极管芯片内的阴极电极一侧的部分，存在不透明的基板。这里，将该发光二极管芯片，通过搭载在绝缘基板的上面，使该发光二极管芯片中的阳极电极向下，阴极电极向上，就能够由该发光二极管芯片的基板阻止上述发光二极管芯片的发光层中所发出的光，从阴极电极一侧向上射出。即，根据本专利技术，通过阻止从发光二极管芯片上面向上射出的量，而增强从发光二极管芯片的侧面横向射出的光，由此就能省略如上述以往那样，在对于发光二极管芯片进行封装的封装体上面设置凹部。因此，上述封装体的高度尺寸，进而，将芯片型LED的整体高度尺寸以薄型构成，使之作为用于便携电话机的按键开关的背光光源。这种情况下，根据本专利技术之二所述的构成，使发光二极管芯片的发光层具有比较大面积后，由于从向内倾斜的侧面以光的衰减较少的状态，使该发光层内发出的光射出，因此能使横向射出的光量，大幅地增强。加之，根据本专利技术之三所述的构成，因从发光二极管芯片向绝缘基板一侧发射的光，通过白色的配色能够被反射，因此横向发射的光强能进一步增强。附图说明图1是表示本专利技术的实施形式的芯片型LED立体图。图2是图1的II-II向剖视图。图3是将上述芯片型LED作为按键开关的背光光源使用的情况下的剖视图。图4表示以往的芯片型LED的立体图。图5表示以往的芯片型LED的使用例的立体图。图中11-芯片型LED，12-绝缘基板，13、14-端子电极，15-发光二极管芯片，15a-发光二极管芯片的阴极电极，15b-发光二极管芯片的基板，15c-发光二极管芯片的n型半导体层，15d-发光二极管芯片的发光层，15e-发光二极管芯片的p型半导体层，15f-发光二极管芯片的阳极电极，16-封装体，17-金属线，18-白色配色膜。具体实施例方式以下，参照图1以及图2的附图来说明本专利技术的实施形式。该图中，符号11表示本专利技术的实施形式的芯片型LED。该芯片型LED11包括在上面形成一对端子电极13、14的芯片型绝缘基板12；在该绝缘基板12的上面搭载的发光二极管芯片15；和在上述绝缘基板12的上面按照密封上述发光二极管芯片15那样设置的透明体制的封装体16。上述发光二极管芯片15包括重叠在基板15b，该基板15b通过里面具有阴极电极15a的硅等形成；n型半导体层15c；发光层15d；p型半导体层15e以及阳极电极15f。而且，上述发光二极管芯片15，使上述n型半导体层15c变薄，另一方面，使p型半导体层15e变厚，由此使该发光层15d位于接近阴极电极15a的部位而构成。加之，上述发光二极管芯片15，将其一端的阴极电极15a一侧的尺寸D1增大，其另一端的阳极电极15f一侧的尺寸D2变小，由此使该发光二极管芯片15的侧面15′，从其一端的阴极电极15a一侧开始向其另一端的阳极电极15f一侧向内倾斜而构成。然后，将上述发光二极管芯片15，在上述绝缘基板12上，使该发光二极管芯片15的阴极电极15a向上，使阳极电极15f向下，并且，将阳极电极15f电连接地焊接在一个的端子电极13上，另一方面，该发光二极管芯片15的上面的阴极电极15a，和另一个的端子电极14之间，由通过细金属线17由引线连接等保持电连接而构成。该构成中，通过对上述发光二极管芯片15的通电，该发光层15d发出的光，因被发光二极管芯片15的基板15b阻止其从该发光二极管芯片15的上面向上射出，因而其发出的光几乎全部成为从横向发射的。这样，就能省略如过去那样，在密封上述发光二极管芯片15的封装体16的上面设置凹部，从而可使该封装体16的上面和上述发光二极管芯片15的上面之间的厚度变薄，因而降低上述封装体16的高度尺寸H0，进而，芯片型LED11的整体的高度尺寸H变低，换言之，能使芯片型LED11成为薄型。即，根据本专利技术，横向发射光的芯片型LED11能够构成薄型，可以将该构成的芯片型LED，与上述图5的情况一样，通过将其配装在按键开关B之间的部位，该部位位于配设在便携电话机A的按键开关B里面侧的电路基板C内，在作为上述各按键开关B的背光光源使用的情况下，如图3所示，因各按键开关B和电路基板C之间的间隙S能变窄，所以能如此之小型轻便。而且，在上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片型ＬＥＤ，是由绝缘基板、发光二极管、封装体构成芯片型ＬＥＤ；上述发光二极管搭载在上述绝缘基板的上面；上述封装体由透明体构成，该透明体是在上述绝缘基板的上面按照密封上述发光二极管芯片那样设置，上述芯片型ＬＥＤ的特征在于，将上述 发光二极管芯片，搭载在上述绝缘基板的上面，使上述发光二极管芯片的阳极电极向下、阴极电极向上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-24 331980/20031.一种芯片型LED，是由绝缘基板、发光二极管、封装体构成芯片型LED；上述发光二极管搭载在上述绝缘基板的上面；上述封装体由透明体构成，该透明体是在上述绝缘基板的上面按照密封上述发光二极管芯片那样设置，上述芯片型LED的特征在于，将上述发光二极管芯片，搭载在上述绝缘基板的上面，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：板井顺一，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]