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一种Ｚｎ系半导体发光元器件的制造方法，在基板主表面上形成由该基板所不含之Ｉｎ系化合物或Ｚｎ系化合物所构成之缓冲层，在该缓冲层上形成Ｚｎ系化合物所构成之发光区域，其特征在于，　　　　在该基板之主表面上形成多晶层或非晶态层的层叠体后，在形成该发...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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