【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于对半导体晶片例如硅晶片等晶片施行热处理时所用的热处理用晶片支持器具及热处理装置。
技术介绍
就批量(batch)式热处理用晶片支持器具而言，一般采用在称为舟皿(boat)的支柱具有沟槽的构造物的沟槽，平行地收纳保存多个晶片的形式。特别是在1000℃以上的高温热处理中，由耐热性等来看，一般采用SiC作为晶片支持器具的原材料，使用借助金刚石切割机(DiamondCutter)等，直接在支柱上施行切削加工沟槽的方法。可是使用此方法，可加工的形状受到限制的缘故，曲面等复杂的形状加工很困难。此外，在切削加工中，也有容易在沟面产生毛边的问题。并且由于欲除去所产生的毛边的追加加工困难、或欲降低接触晶片的沟的表面粗度的研磨困难，故于热处理中，在与晶片的接触部会发生伤痕或滑移位错的问题(日本特开平7-161654号公报、特开平第8-107081号公报)。此外，在加工中，由于支柱易破损，需要较大的劳力和加工时间，故生产性差，降低成本困难。上述批量式热处理是使用电阻加热(加热器加热)，一次热处理多数片晶片，不过除了此种批量式热处理装置外，最近主要应用于单片处理，也...
【技术保护点】
一种热处理用晶片支持器具，是至少具有支持热处理的晶片的多个晶片支持构件、和保持该支持构件的支持构件支撑器的热处理用晶片支持器具，其特征在于：所述多个晶片支持构件中的至少一部分支持构件是，其与所述晶片的接触部相对于所述支持构件支撑器可 动。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-3-26 085137/20031.一种热处理用晶片支持器具，是至少具有支持热处理的晶片的多个晶片支持构件、和保持该支持构件的支持构件支撑器的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述多个晶片支持构件中的至少一部分支持构件是，其与所述晶片的接触部相对于所述支持构件支撑器可动。2.根据权利要求1项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述接触部的形状，相对于所述热处理的晶片，为凸的曲面。3.根据权利要求1或者2项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述接触部的形状为球形或椭圆球形。4.根据权利要求1～3中任意一项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述晶片支持构件是由销构件所构成，所述支持构件支撑器是由保持所述销构件的销构件支撑器所构成，所述销构件是嵌入于形成在该销构件支撑器的销孔而配置。5.根据权利要求4项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述销构件是以可从所述销构件支撑器取下的方式构成。6.根据权利要求4或者5项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述销构件是由圆柱状的原材料加工成。7.根据权利要求4～6中任意一项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述销构件及销构件支撑器的原材料为SiC、硅或石英。8.根据权利要求4～7中任意一项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于设多个所述销孔。9.根据权利要求4～8中任意一项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述销孔为缝隙状。10.根据权利要求9项所记载的热处理用晶片支持器具，其特征在于所述缝隙状销孔是以从所述销构件支撑器的中心成构成放射状的方式配置。11.根据权利要求4～10中任意一项所记载的热处理用...
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