贴合晶片的制造方法技术

本发明专利技术是将硅单晶所构成的接合晶片３１与衬底晶片３２通过氧化膜３３进行贴合后、对接合晶片３１实施减厚加工以制造贴合晶片３９的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片３１及衬底晶片３２，即可减少接合热处理后的未结合区域ＵＡ。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
移动电话等的移动通信中，一般使用数百MHz以上的高频信号，要求采用高频特性好的半导体器件。例如，CMOS-IC或高耐压IC等的半导体器件中采用所谓SOI晶片，该SOI晶片是在硅单晶基板(衬底晶片)上形成硅氧化膜绝缘层，再在其上层叠另一硅单晶层作为SOI(Silocon on Insulator，绝缘体上硅膜)层面形成。SOI晶片的代表性的制造方法为贴合法。该贴合法是将作为衬底晶片的第一硅单晶基板、与构成器件形成区域SOI层的第二硅单晶基板(接合晶片)两者的镜面，通过硅氧化膜进行贴合后，将接合晶片减厚达到所要的厚度，实现薄膜化，而将接合晶片作为SOI层。将接合晶片减厚的方法有从贴合后的接合晶片背面进行磨削、研磨的方法，或后述的注入氢离子等之后贴合再剥离的方法(离子注入剥离法)等。贴合工序中，须进行热处理，以使重叠后的接合晶片与衬底晶片接合。这时，因镜面研磨面的边缘部分所产生的研磨塌边的影响，一般会有若干晶片边缘部无法结合，而产生未结合区域。该区域由于无法形成产品，而构成浪费掉的部分，故越少越好。到目前为止，虽有人提出通过提高晶片的倒角精度等来减少未结合区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贴合晶片的制造方法，是将硅单晶所构成的接合晶片与衬底晶片通过绝缘层或直接贴合后，对接合晶片实施减厚加工，其特征在于，将硅单晶棒经切片、倒角、研磨、腐蚀、镜面研磨及洗净这些工序所制得的晶片，用作为接合晶片与衬底晶片，且在腐蚀工序中 ，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时，使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。

【技术特征摘要】
JP 2001-11-27 360267/20011.一种贴合晶片的制造方法，是将硅单晶所构成的接合晶片与衬底晶片通过绝缘层或直接贴合后，对接合晶片实施减厚加工，其特征在于，将硅单晶棒经切片、倒角、研磨、腐蚀、镜面研磨及洗净这些工序所制得的晶片，用作为接合晶片与衬底晶片，且在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时，使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。2.如权利要求1所述的贴合晶片的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野正刚，富泽进一，三谷清，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]