绝缘层覆硅(SOI)晶片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＳＯＩ晶片，该ＳＯＩ晶片为至少具备ＳＯＩ层的ＳＯＩ晶片，其特征为：该ＳＯＩ层的面方位的偏角是由｛１１０｝只往＜１００＞方向，而且，偏角角度在５分以上２度以下；及提供一种ＳＯＩ晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化以形成ＳＯＩ层而成，其特征为：前述结合晶片是使用面方位由｛１１０｝只往＜１００＞方向偏角，而且，偏角角度在５分以上２度以下的晶片。因此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微观粗糙度，适合于高速元件的制作的ＳＯＩ晶片及其制造方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在贴合两片的晶片的贴SOI(Silicon OnInsulator绝缘层覆硅)晶片中，至少形成元件的活性层(SOI层)的面方位由{110}赋与偏角而成的SOI晶片及其制造方法。
技术介绍
已知SOI晶片的制造方法，有以通过硅氧化膜来贴合成为基板的基底晶片，和形成有SOI层的结合晶片的两片的硅单结晶晶片，以制作贴合SOI晶片的方法。此种贴合晶片制作的步骤例如已知有在两片的晶片中的至少其中一片晶片的表面形成氧化膜，于接合面未有异物介于其间而相互密接后，以大约200～1200℃的温度予以热处理，以提高结合强度的方法(参考日本专利特公平5-46086号公报)。因为通过进行此种热处理而结合强度被提高的贴合晶片可以进行之后的研磨及抛光步骤，通过研磨及抛光结合晶片，以使其薄膜化为希望的厚度，可以形成形成有半导体元件的SOI层。但是，对于研磨后的表面，在进行通过抛光的薄膜化时，如设定其的抛光量多时，虽具有抛光表面的微小的微观粗糙度得到改善的优点，另一方面，却有晶片整体的SOI层的膜厚均匀性劣化的问题，所以可以设定的抛光量有其上限。因此，有在非氧化性环境中的1000℃以上的高温热处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ晶片，为至少具备ＳＯＩ层的ＳＯＩ晶片，其特征为：该ＳＯＩ层的面方位由｛１１０｝只往＜１００＞方向偏角，而且，偏角角度在５分以上２度以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-5-15 137939/20031.一种SOI晶片，为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为该SOI层的面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下。2.如权利要求1所述的SOI晶片，其中，所述偏角角度在30分以上1度30分以下。3.一种SOI晶片的制造方法，该方法至少贴合基底晶圆和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化，以形成SOI层而得到所述SOI晶片，其特征为所述结合晶片是使用面方位由{110}只往<100>方向偏角、而且偏角角度在5分以上2度...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野清隆，角田均，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]