【技术实现步骤摘要】
由国防高级研究计划局授权，协议号为MDA972-96-3-0014，通过政府支持获得本专利技术。联邦政府对本专利技术享有某些权利。本专利技术涉及光发射领域，特别涉及提供ALxGayInzN器件两侧面的高质量反射表面。垂直谐振腔光电结构包括有源区，有源区由可能被掺杂的，没掺杂的，或包含p-n结的插入限制层的光发射层形成。该结构至少包括一个反射镜，反射镜在垂直光发射层的方向形成Fabry-Perot谐振腔。在GaN/ALxGayInzN/ALxGa1-xN(其中，在ALxGayInzN中x+y+z＝1，在ALxGa1-xN中，x≤1)材料系列中制造垂直谐振腔光电结构遇到困难，使它和其它III-V族材料系列无关。难于生长优良光学质量的AlxGayInzN结构。电流扩展是对ALxGayInzN器件的主要考虑。P-型材料的横向电流扩展比n-型材料小30倍。并且，许多衬底热导率低，使器件设计变得复杂，因为要获得最佳热沉，应使安装器件的接合部降低热阻。一个垂直谐振腔光电结构，例如，垂直谐振腔表面发射激光器(VCSEL)，要求具有99.5％反射率的高质量反射镜。获得高质量反射镜的一...
【技术保护点】
一种制造Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ结构的方法，其包括下列步骤：把基底贴合到第１镜面叠层上；在损耗生长衬底上制造Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ结构；形成晶片接合界面；通过激光熔化除掉损耗生长衬底；淀积电 接点到Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［ｚ］Ｎ结构上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：CC科曼，小FA基希，RS科恩，MR克拉梅斯，PS马丁，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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