【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及将多晶硅作为半导体的薄膜晶体管阵列板。
技术介绍
在包括多个像素的平板显示器例如液晶显示器(LCD)或有机发光二极管显示器(OLED)中，薄膜晶体管(TFT)阵列板用作数据驱动电路的基板，其被配置来独立地驱动每个像素。液晶显示器(LCD)包括每个提供有场生成电极(例如像素电极和公共电极)的两个板(panel)(基板)，液晶(LC)层置于其间。LCD通过向场生成电极施加电压从而产生越过LC层的电场而显示图像，所述电场控制LC层中LC分子的取向从而调节入射光的偏振(polarization)。有机发光二极管显示器(OLED)是自发射显示装置，其通过激励发光有机材料发光而显示图像。OLED包括阳极(空穴注入电极)、阴极(电子注入电极)、以及置于其间的有机发光层。当空穴和电子注入到发光层中时，它们复合且成对湮灭而发光。OLED的每个像素包括两个晶体管(例如驱动晶体管和开关晶体管)。用于发光的电流经驱动TFT被提供，经驱动TFT驱动的电流的量由来自相应的开关TFT的数据信号控制。通常，TFT包括由非晶硅或结晶硅制成的半导体。因为非晶硅膜能在较低温度制造，所...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列板，包括：基板；多个半导体，其形成在所述基板上且包括多个沟道区；栅极绝缘层，其覆盖所述半导体的所述沟道区；多条栅极线，其连接到交迭所述沟道区的多个栅极电极；以及多条数据线，其 中两个不同像素的相应的半导体相对于其各自的像素位于两个不同的位置。
【技术特征摘要】
KR 2005-1-19 5012/05;KR 2005-1-20 5304/051.一种薄膜晶体管阵列板，包括基板；多个半导体，其形成在所述基板上且包括多个沟道区；栅极绝缘层，其覆盖所述半导体的所述沟道区；多条栅极线，其连接到交迭所述沟道区的多个栅极电极；以及多条数据线，其中两个不同像素的相应的半导体相对于其各自的像素位于两个不同的位置。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述半导体还包括多个凸出。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述数据线之间的距离是一致的，且所述栅极线之间的距离是一致的。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述阵列的相同列内两个不同像素的相应的半导体位于距相同的数据线两个不同的距离处。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述半导体中的每个还包括设置在源极区与所述沟道区之间或者漏极区与所述沟道区之间的轻掺杂区。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述半导体还包括多个凸出，且所述阵列的相同列中不同像素的半导体之间，形成在所述轻掺杂区上的所述凸出的数目变化。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述半导体还包括多个凸出，且所述阵列的相同列中不同像素的半导体之间，形成在所述沟道区上的所述凸出的数目变化。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述凸出以一致间距设置。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，还包括阻挡层，其形成在所述基板与所述半导体之间。10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，还包括钝化层，其形成在所述像素电极与所述栅极线和所述数据线之间。11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，还包括层间绝缘层，其形成在所述栅极线与所述数据线之间；以及多个漏极电极，其将多个像素电极连接到所述半导体的多个漏极区。12.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，还包括隔离物，其形成在所述像素电极上；以及多个发光部件，其形成在所述像素电极上且设置在由所述隔离物定义的开口内。13.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，还包括多条存储电极线，其与所述栅极线分隔开且形成在所述基板上。14.一种薄膜晶体管阵列板，包括基板；多个半导体，其形成在所述基板上，其中所述半导体中的每个包括沟道区；栅极绝缘层，其覆盖所述半导体的所述沟道区；多条栅极线，其连接到交迭所述沟道区的栅极电极，其形成在所述栅极绝缘层上；以及多条数据线，其中所述半导体以各种距离与所述栅极电极间隔开。15.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述数据线与所述半导体之间的距离是一致的。16.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述半导...
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