一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构制造技术

一种抗辐射ＢＴＳ　　ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件结构，涉及抗辐射ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件技术，特别是涉及一种新的抗辐射ＢＴＳ　　ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件结构。本发明专利技术受到总装备部装备预先研究项目经费资助。按照本发明专利技术所提供的设计方案，在结构的中部为多晶区，在多晶区的右侧为漏端，在多晶区的左侧为源端，其特征是：在漏端Ｎ＋有源区上有一个漏端接触孔，漏端接触孔上有引出导线，在源端Ｎ＋有源区上有一个源端接触孔，在源端Ｎ＋有源区的上下两侧各有一个Ｐ＋有源区，在源端Ｎ＋有源区的左侧为Ｐ＋有源区，两块Ｐ＋有源区由Ｐ＋有源区引出，源端Ｎ＋有源区与Ｐ＋有源区上有两个并在一起的接触孔，把源端Ｎ＋有源区与两块Ｐ＋有源区连接在一起，在该并在一起的接触孔上同样有引出导线。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抗辐射ＢＴＳＳＯＩＣＭＯＳ器件结构，在结构的中部为多晶区（３），在多晶区（３）的右侧为漏端，在多晶区（３）的左侧为源端，其特征是：在漏端Ｎ＋有源区（１）上有一个漏端接触孔（４），漏端接触孔（４）上有引出导线，在源端Ｎ＋有源区（１ ）上有一个源端接触孔（４），在源端Ｎ＋有源区（１）的上下两侧各有一个Ｐ＋有源区（５），在源端Ｎ＋有源区（１）的左侧为Ｐ＋有源区（２），两块Ｐ＋有源区（５）由Ｐ＋有源区（２）引出，源端Ｎ＋有源区（１）与Ｐ＋有源区（２）上有两个并在一起的接触孔（４），把源端Ｎ＋有源区（１）与两块Ｐ＋有源区（５）连接在一起，在该并在一起的接触孔（４）上同样有引出导线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖志强，洪根深，孙锋，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]