【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种由制造在基片上的半导体元件(使用半导体薄膜的一种元件)形成的EL(电(致)发光)显示器件,并涉及含有作为显示器使用的EL显示器件的电子设备。近年来在基片上形成TFT(薄膜晶体管)的技术已有很大进展,而将它应用于有源矩阵型的显示设备的开发也正在继续。特别是,使用多晶硅薄膜的TFT比起使用传统的非晶硅膜的TFT有更高的电场效应迁移率(也称为迁移率),它能够实现高速运行。因此就有可能由与象素在同一基片上形成的驱动电路来实现对象素的控制,尽管传统上是由在基片以外的驱动电路控制的。这种类型的有源矩阵显示设备具有许多优点,例如降低了的制造成本、使显示器体积减小、增加成品率、和降低了输贯量,这些都是因把各种电路和元件制造在同一基片上而得到的。此外,对具有EL元件作为自发光元件的有源矩阵型EL显示设备的研究已变得生机昂然。EL显示器也称作为有机EL显示器(OELD)或有机发光二极管(OLED)。EL显示器属于自发光类型,它与液晶显示器不同。EL元件具有这样的结构,其中EL层是夹在一对电极之间的,而EL层通常是叠片式结构。由Eastman Kodak Co. ...
【技术保护点】
一种半导体装置,包括:基片,其包括第一象素和第二象素;具有在第一象素中的第一沟道形成区的第一薄膜晶体管和具有在第二象素中的第二沟道区的第二薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管都形成在基片上,连接到第一薄膜晶体 管的第一象素电极;和连接到第二薄膜晶体管的第二象素电极;其中第一沟道形成区的沟道宽度不同于第二沟道形成区的沟道宽度。
【技术特征摘要】
JP 1999-9-24 270091/19991.一种半导体装置,包括基片,其包括第一象素和第二象素;具有在第一象素中的第一沟道形成区的第一薄膜晶体管和具有在第二象素中的第二沟道区的第二薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管都形成在基片上,连接到第一薄膜晶体管的第一象素电极;和连接到第二薄膜晶体管的第二象素电极;其中第一沟道形成区的沟道宽度不同于第二沟道形成区的沟道宽度。2.根据权利要求1的半导体装置,其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的每一个都包括多晶硅薄膜。3.根据权利要求1的半导体装置,其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的每一个都是电致发光驱动器薄膜晶体管。4.根据权利要求1的半导体装置,其中半导体装置是电致发光显示器。5.根据权利要求1的半导体装置,其中第一象素的颜色不同于第二象素的颜色。6.根据权利要求1的半导体装置,其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的每一个都是n沟道薄膜晶体管。7.根据权利要求1的半导体装置,其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的每一个都是p沟道薄膜晶体管。8.根据权利要求1的半导体装置,还包括连接到在第一象素中的第一薄膜晶体管的第一开关薄膜晶体管;和连接到在第二象素中的第二薄膜晶体管的第二开关薄膜晶体管。9.一种具有根据权利要求1的半导体装置的电子设备,其中该电子设备选自于由电致发光显示器、摄像机、数字相机、车辆导航器、个人计算...
【专利技术属性】
技术研发人员:小山润,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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