【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示器件，更具体地，涉及一种阵列基板及其制造 方法以及一种修复该阵列基板中的线的方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)器件基于液晶材料的光学各向异性和极化等特性而驱 动。液晶分子具有长且细的形状，并且液晶分子沿定向方向规律地排列。光沿 着长且细形的液晶分子穿过LCD器件。液晶分子的定向取决于施加到液晶分 子上的电场的强度或方向。通过控制电场的强度或方向，控制液晶分子的定向， 从而显示图像。现将参照图1和图2描述现有技术的LCD器件。图1为根据现有技术的LCD器件的示意性横截面图，图2为根据现有技 术的用于LCD器件的阵列基板的平面图。如图1和图2所示，根据现有技术的LCD器件包括下基板22和上基板 50，液晶层14插入在下基板22和上基板50之间。在下基板22上形成有薄膜 晶体管T、像素电极46、栅线13和数据线42。在上基板50上形成有黑矩阵 52、红、绿和蓝滤色片54a、 54b和54c、以及公共电极56。包括薄膜晶体管 T、像素电极46、栅线13和数据线42的下基板22可以称作阵列基板。包括 黑矩阵52、红、绿和蓝滤色片54a、 54b...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基板；基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；与栅线和数据线连接的薄膜晶体管；在像素区中的像素电极；以及包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共电极，其中，所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连接，并且第五部分与第二部分连接并延伸进入与所述像素区相邻的下一个像素区中。
【技术特征摘要】
1、一种阵列基板，包括基板；基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；与栅线和数据线连接的薄膜晶体管；在像素区中的像素电极；以及包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共电极，其中，所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分和第四部分各与第一部分和第二部分连接，并且第五部分与第二部分连接并延伸进入与所述像素区相邻的下一个像素区中。2、 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第五部分与下一 个像素区中的第二部分直接连接。3、 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括 与栅线连接的栅极、在栅极之上的有源层、在有源层之上的欧姆接触层、与数 据线连接的源极、以及在欧姆接触层之上与源极间隔分开的漏极。4、 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括数据线之 下的半导体层，其中所述半导体层包括从有源层延伸出的层和欧姆接触层之一5、 一种制造阵列基板的方法，包括 在基板上形成栅线；形成与栅线交叉的数据线以限定像素区； 形成与栅线和数据线连接的薄膜晶体管； 在像素区中形成像素电极；以及形成包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共 电极，其中所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分和 第四部分各与第一部分和第二部分连接，第五部分与第二部分连接并延伸进入 与所述像素区相邻的下一个像素区中。6、 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第五部分与下一个像素区中的第二部分直接连接。7、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成数据线包括在数据线 之下形成半导体层。8、 一种制造阵列基板的方法，包括在基板上形成栅线、栅极和公共线，其中所述公共线包括第一部分、第 二部分、第三部分、第四部分和第五部分；在栅线、栅极和公共线上形成栅绝缘层； 在栅极之上的栅绝缘层上形成有源层和欧姆接触层；形成数据线、源极和漏极，其中所述数据线与栅线交叉以限定像素区， 并且源极和漏极在欧姆接触层之上间隔分开-,在数据线、源极和漏极上形成钝化层，其中所述钝化层包括暴露漏极的 接触孔；以及在像素区中形成与漏极连接的像素电极，其中，所述第一部分和第二部分分别设置在数据线的相对侧，第三部分 和第四部分各与第一部分和第二部分连接，第五部分与第二部分连接并延伸进 入与所述像素区相邻的下一个像素区中。9、 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第五部分与下一个像 素区中的第二部分直接连接。10、 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在使用不同掩模的各自 掩模工序中执行...
【专利技术属性】
技术研发人员：金殷泓，林凤默，金定焕，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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