像素结构制造技术

本发明专利技术一种像素结构，此像素结构是借助一Ｕ型存储电容电极，以增加像素的开口率，并可同时补偿因曝光机Ｙ方向的偏移所造成的栅极－漏极寄生电容Ｃｇｄ值的变动，以降低像素馈通电压的变异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种像素结构，且特别有关于一种具有U型第一存储电容电极 的像素结构。
技术介绍
现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件或显示装置的进步。 就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的 薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD) 已逐渐成为市场主流。一般的薄膜晶体管液晶显示器主要是由一薄膜晶体管阵列基板、 一彩色滤光 基板以及一夹于二者之间的液晶层所构成。其中，薄膜晶体管阵列基板是由多个呈 矩阵型式排列的像素结构所构成。每一像素结构主要由一薄膜晶体管、 一像素电极 (Pixel electrode)以及一像素存储电容所构成。而上述的薄膜晶体管包括栅极 (Gate)、沟道层(Channel)、漏极(Drain)与源极(Source)，此薄膜晶体管是用以作 为液晶显示单元的开关元件。当像素电极处于选择状态下(即打开〃ON〃的状态下)， 信号将会写入此像素上；当像素电极处于非选择的状态下(即关闭0FF〃的状态 下)，可借助像素存储电容维持驱动液晶的电位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，配置于一基板上，该像素结构包括：一扫描配线以及一数据配线，该扫描配线与该数据配线是交叉配置于该基板上；一第一存储电容电极，配置于该基板上，该第一存储电容电极包括：一第一部分，实质上平行且邻近于该数据配线 ，且该第一部分具有邻近于该扫描配线的一第一端；一第二部分，实质上平行且邻近于下一条该数据配线，且该第二部分具有邻近于该扫描配线的一第二端；一第三部分，实质上平行且邻近于该扫描配线，并连接于该第一端与该第二端之间；一薄 膜晶体管，配置于该基板上，并借助该扫描配线以及该数据配线驱动，其中该薄膜...

【技术特征摘要】
1. 一种像素结构，配置于一基板上，该像素结构包括一扫描配线以及一数据配线，该扫描配线与该数据配线是交叉配置于该基板上；一第一存储电容电极，配置于该基板上，该第一存储电容电极包括一第一部分，实质上平行且邻近于该数据配线，且该第一部分具有邻近于该扫描配线的一第一端；一第二部分，实质上平行且邻近于下一条该数据配线，且该第二部分具有邻近于该扫描配线的一第二端；一第三部分，实质上平行且邻近于该扫描配线，并连接于该第一端与该第二端之间；一薄膜晶体管，配置于该基板上，并借助该扫描配线以及该数据配线驱动， 其中该薄膜晶体管包括一栅极、 一沟道层、 一源极以及一漏极；一第二存储电容电极，位于该第三部分的上方，并覆盖部分该第三部分，且 与该漏极电性连接；以及一像素电极，该像素电极与该薄膜晶体管电性连接。2. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一存储电容电极的该第一 部分、该第二部分及该第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊安，刘文雄，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]