像素结构制造技术

一种像素结构，其包括控制单元、有机电致发光单元与滤光结构，其中控制单元设置于基板上，且控制单元通过扫描配线与数据配线而驱动。有机电致发光单元设置于基板上，且有机电致发光单元包括透明电极、发光层与金属电极，其中透明电极与控制单元电连接，而发光层与金属电极依次设置于透明电极上。滤光结构设置于基板与有机电致发光单元之间，而滤光结构包括多个第一介电层与多个第二介电层，其中这些第一介电层与这些第二介电层为交错设置，且这些第一介电层的折射率不同于这些第二介电层的折射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构，且特别涉及一种用于主动式有机电致发光显示器的像素结构。
技术介绍
信息通信产业已成为现今的主流产业，特别是可携带式的各种通信显示产品更是发展的重点。而由于平面显示器是人与信息之间的沟通界面，因此其发展显得特别重要。其中，有机电致发光显示器(organicelectro-luminescent display，OELD)以其自发光、广视角、省电、制造工艺简易、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等等的优点，使其具有极大的潜力，因此可望成为下一代平面显示器的主流。有机电致发光显示器是一种利用有机发光材料的自发光特性来达到显示效果的显示器，其中依照有机发光材料的分子量分为小分子有机电致发光显示器(small molecule OELD，SM-OELD)与高分子电致发光显示器(polymer electro-luminescent device，PELD)两大类。两者的发光结构皆是由一对电极以及有机材料层所构成。当施加直流电压时，空穴从阳极(anode)注入有机发光材料层，而电子从阴极(cathode)注入有机发光材料层，因为外加电场所造成的电位差，使得空穴与电子两种载流子(carrier)在有机发光材料层中移动并产生辐射性复合(radiativerecombination)。部分由电子空穴再结合所放出的能量会将有机发光材料分子激发形成单一激态分子。当单一激态分子释放能量回到基态时，其中一定比例的能量会以光子的方式放出而发光，此即为有机电致发光显示器的发光原理。图1A为用于公知主动式有机电致发光显示器(Active Matrix OLED)的像素结构的剖面图，而图1B为图1A所示结构中发光层的穿透率与波长的关系图。请先参照图1A，公知的像素结构100适于通过基板110上的扫描配线以及数据配线控制。此公知的像素结构100包括多个非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon thin film transistor，a-Si TFT)120a、120b、多层介电层130、140、有机电致发光单元150与像素阻隔层(pixel definelayer)160，其中非晶硅薄膜晶体管120a与120b设置于基板110上，且非晶硅薄膜晶体管120a与120b电连接。此外，非晶硅薄膜晶体管120a与120b用以控制有机电致发光单元150的运作。介电层140覆盖非晶硅薄膜晶体管120a与120b，而介电层140的材质为氮化硅。另外，像素阻隔层160与有机电致发光单元150分别设置于介电层140上。更详细而言，非晶硅薄膜晶体管120a与120b分别具有栅极122a、122b、通道层124a、124b与源/漏极126a、126b，其中栅极122a与122b设置于基板110上。介电层130设置于基板110上，并覆盖栅极122a与122b，而通道层124a、124b设置于介电层130上。源/漏极126a与126b分别设置于通道层124a与124b上。此外，有机电致发光单元150包括透明电极152、发光层154与金属电极156，其中透明电极152与非晶硅薄膜晶体管120b电连接，而发光层154与金属电极156依次设置于透明电极152上。请同时参照图1A与图1B，发光层154所发出的光依次通过透明电极152、介电层140、130与基板110而出射至外界。由图1B可知，红光(640nm)、绿光(515nm)与蓝光(470nm)对于此种公知的像素结构100的穿透率约在97％左右，因此介电层130与140对于有机电致发光单元150所发出的光的影响不大，换言之，应用此种公知的像素结构100的主动式有机电致发光显示器的显示质量主要是受限于有机电致发光单元150的元件性质。然而，与非晶硅薄膜晶体管120a与120b相比，低温多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率(carrier mobility)与较低的操作电压，因此发展出另一种用于主动式有机电致发光显示器的像素结构。图2A为应用于公知主动式有机电致发光显示器的另一种像素结构的剖面图，而图2B为图2A所示结构中发光层的穿透率与波长的关系图。请先参照图2A，公知的像素结构200适于通过基板210上的扫描配线以及数据配线控制。此公知的像素结构200包括多个低温多晶硅薄膜晶体管230a、230b、多层介电层220、240、250、260、有机电致发光单元150与像素阻隔层160。同样地，低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b电连接，且低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b用以控制有机电致发光单元150的运作。介电层220设置于基板210上，而低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b均设置于介电层220上。此外，介电层260覆盖低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b，而像素阻隔层160与有机电致发光单元150分别设置于介电层260上。更详细而言，低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b分别具有栅极232a、232b、通道层234a、234b与源/漏极236a、236b，其中通道层234a与234b设置于介电层220上，而介电层220可以改善基板210内的金属离子扩散至通道层234a与234b内的问题。介电层240覆盖于通道层234a与234b上，而源/漏极236a与236b分别设置于通道层234a与234b上。值得注意的是，栅极232a与232b设置于介电层240上，而低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b均为双栅极结构。然而，低温多晶硅薄膜晶体管230a与230b也可以是单栅极结构。介电层250覆盖栅极232a与232b，而介电层260设置于介电层250上。请同时参照图2A与图2B，发光层154所发出的光依次通过透明电极152、介电层260、250、240、220与基板210而出射至外界，其中介电层260与250的材质为氮化硅。此外，介电层240的材质为氧化硅，而介电层220的材质为氧化硅/氮化硅。由图1B可知，对于此种公知的像素结构200而言，特定波长的光(500nm)的穿透率约为96％，然而红光(640nm)的穿透率约为83％。换言之，有机电致发光单元140的发光特性会被介电层260、250、240与220所影响。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的就是提供一种像素结构，其具有较佳的光纯度。本专利技术的再一目的是提供一种像素结构，其具有较佳的光强度与光纯度。基于上述目的或其它目的，本专利技术提出一种像素结构，其适于通过基板上的扫描配线以及数据配线控制。此像素结构包括控制单元、有机电致发光单元与滤光结构(filter structure)，其中控制单元设置于基板上，且控制单元通过扫描配线与数据配线而驱动。有机电致发光单元设置于基板上，且有机电致发光单元包括透明电极、发光层与金属电极，其中透明电极与控制单元电连接，而发光层与金属电极依次设置于透明电极上。滤光结构设置于基板与有机电致发光单元之间，而滤光结构至少包括多个第一介电层与多个第二介电层，其中这些第一介电层与这些第二介电层为交错设置，且这些第一介电层的折射率不同于这些第二介电层的折射率(refractive index)。依照本专利技术较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，适于通过基板上的扫描配线以及数据配线控制，其特征是该像素结构包括：控制单元，设置于该基板上，其中该控制单元通过该扫描配线与该数据配线驱动；有机电致发光单元，设置于该基板上，且该有机电致发光单元包括透明电极、发光 层与金属电极，其中该透明电极与该控制单元电连接，而该发光层与该金属电极依次设置于该透明电极上；以及滤光结构，设置于该基板与该有机电致发光单元之间，而该滤光结构至少包括多个第一介电层与多个第二介电层，其中上述这些第一介电层与上述这些第 二介电层为交错设置，且上述这些第一介电层的折射率不同于上述这些第二介电层的折射率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王良元，曾启光，黄霈霖，高一龙，蔡亚萍，汤舜钧，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]