像素结构制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构，包括：一扫描线，具有一分支；一数据线，与该扫描线交错排列，该分支位于该数据线下方，且该分支与该数据线重叠；一半导体图案，该半导体图案包括：至少二通道区，位于该扫描线下方；至少一掺杂区，连接于该些通道区之间；一源极区与一漏极区；以及一像素电极，与该漏极区电性连接，该源极区连接于其中一个通道区与该数据线之间，而该漏极区连接于另一个通道区与该像素电极之间。本发明专利技术利用半导体图案的变化使半导体图案与扫描线至少相交于两个区域，而有助于降低多晶硅薄膜晶体管的漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构，且尤其涉及一种具有多通道区的像素结构。
技术介绍
薄膜晶体管显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD) 成为目前许多平面显示器中的主流。根据通道层材质的选择，薄膜晶体管液晶显示器可 分为非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon TFT)液晶显示器及低温多晶硅薄膜晶体管 (Low-Temperature PolySilicon Thin FilmTransistor, LTPS-TFT) ^lsll^^l^Mfto由于低温多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率可以达到200Cm2/V-SeC以上，所以可使 薄膜晶体管元件所占面积更小以符合高开口率(aperture)的需求，进而增进显示器的显 示亮度并减少整体的功率消耗问题。但相对来说，低温多晶硅薄膜晶体管也具有较高的漏 电流(leakage current)(约为10_9微安培)，而且容易在漏极(drain)诱发热载子效应 (hot carrier effect)，进而导致元件退化。因此，现今多在低温多晶硅薄膜晶体管中的通 道区与源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：一扫描线，具有一分支；一数据线，与该扫描线交错排列，该分支位于该数据线下方，且该分支与该数据线重叠；一半导体图案，该半导体图案包括：至少二通道区，位于该扫描线下方；至少一掺杂区，连接于该些通道区之间；一源极区与一漏极区；以及一像素电极，与该漏极区电性连接，该源极区连接于其中一个通道区与该数据线之间，而该漏极区连接于另一个通道区与该像素电极之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：萧嘉强，罗诚，胡至仁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]