【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种像素结构及其制造方法，尤其涉及一种有机电激发光显示单元(organic electro-luminescence display unit)及其制造方法。
技术介绍
由于有机电激发光元件(organic electro-luminescence light-emitting device) 具有自发光、高亮度、高对比、广视角以及反应速度快等优点，因此有机电 激发光显示面板(organic electro-luminescence display panel)在显示器方面的应 用一直是产业关注的焦点之一。 一般的有机电激发光显示面板可区分为顶部 发光型态(top emission)有机电激发光显示面板以及底部发光型态(bottom emission)有机电激发光显示面板两大类，其中又以底部发光型态(bottom emission)有机电激发光显示面板较为常见。图1A至图1G为己知的有机电激发光显示单元的制作流程示意图。请参 照图1A，提供一基板100，并透过第一道光刻刻蚀制造工艺(Photol池ogmphy and Etching Proces...
【技术保护点】
一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，所述像素结构包括： 一栅极，配置于所述的基板上； 一栅绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极； 一图案化金属氧化物层，配置于所述的栅绝缘层上，其中所述的图案化金属氧化物层包括一位于所述的栅极上方的主动层以及一像素电极； 一刻蚀终止层，配置于所述的主动层的部分区域上，其中未被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的导电度高于被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的导电度； 一源极；以及 一漏极，其中所述的源极以及所述的漏极与未被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的主动层电连接，且所述的漏极与所述的像素电极电连接。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，所述像素结构包括一栅极，配置于所述的基板上；一栅绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；一图案化金属氧化物层，配置于所述的栅绝缘层上，其中所述的图案化金属氧化物层包括一位于所述的栅极上方的主动层以及一像素电极；一刻蚀终止层，配置于所述的主动层的部分区域上，其中未被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的导电度高于被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的导电度；一源极；以及一漏极，其中所述的源极以及所述的漏极与未被所述的刻蚀终止层覆盖的部分所述的主动层电连接，且所述的漏极与所述的像素电极电连接。2. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，未被所述的刻蚀终止层 覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的氧空缺比例高于被所述的刻蚀终止 层覆盖的部分所述的图案化金属氧化物层的氧空缺比例。3. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，未被所述的刻蚀终止层 覆盖的部分所述的主动层的导电度实质上等于所述的像素电极的导电度。4. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，未被所述的刻蚀终止层 覆盖的部分所述的主动层的氧空缺比例实质上等于所述的像素电极的氧空缺 比例。5. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的主动层包括一源 极接触区、 一漏极接触区以及一连接于所述的源极接触区与所述的漏极接触 区之间的沟道区，且所述的刻蚀终止层配置于所述的沟道区上。6. 如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述的刻蚀终止层自行 对准于所述的沟道区。7. 如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述的源极接触区、所述的漏极接触区以及所述的像素电极的导电度实质上相同。8. 如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述的源极接触区、所 述的漏极接触区以及所述的像素电极的导电载流子浓度介于102Qcm'3到 10cm'3之间。9. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述的像素结构还包括 一保护层，其中所述的保护层覆盖所述的刻蚀终止层、所述的源极、所述的 漏极以及所述的像素电极的部分区域，且所述的保护层具有一开口以将所述 的像素电极的部分区域暴露。10. —种像素结构的制造方法，其特征在于，所述的方法包括 于一基板上形成一栅极；在所述的基板上形成一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈昶亘，谢信弘，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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