充当多层镜面的封装结构制造技术

本发明专利技术涉及与ＯＬＥＤ器件有关的新结构的使用，这种结构同时充当多层镜面和充当阻挡外部环境中有害因素的屏障。根据本发明专利技术一个实施例，提出的ＯＬＥＤ结构包括：（ａ）衬底；（ｂ）位于衬底之上的ＯＬＥＤ，它包括（ｉ）第一电极，（ｉ）位于第一电极之上的发射区，以及（ｉｉｉ）位于发射区之上的第二电极，其中ＯＬＥＤ在接通时，发射一定波长范围内的光；以及（ｃ）位于衬底之上的多层镜面，该多层镜面包括交替的下列项；（ｉ）具有第一折射率的平面化层，以及（ｉｉ）具有不同于第一折射率的第二折射率的高密度层。选择实施例中的平面化层和高密度层的厚度，使多层镜面经过调整后，能够透射由ＯＬＥＤ发射的波长范围中具有最大波长的光。而且，平面化层和高密度层一起限制了水和氧气的传送。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及保护有机发光器件免受周边环境中的有害因素侵害的结构，并且涉及反射和透射从这种器件中发射的光的结构。
技术介绍
有机发光器件(“OLED”)，包括聚合物OLED和小分子OLED，可以用于许多虚拟视图和直接视图类型的显示，诸如膝上型电脑、电视、数字手表、电话、传呼机、移动电话和计算器等。不像无机半导体发光器件，有机发光器件一般较简单和相对容易，并且制造便宜。另外，OLED本身易用于需要大量颜色的设备上和涉及大面积器件的设备。一般地，用于成像设备的二维OLED阵列是本领域技术人员公知的，并且通常包括含有多个成行列布置的有效像素的OLED显示区。图1A为现有技术中的OLED结构的简化示意图(剖面图)。所示OLED结构包括单个有效像素15，它包括诸如阳极区12等电极区，位于阳极区12之上的发光区14，以及诸如位于发光区14之上的阴极区16等另一个电极区。有效像素15位于衬底10上。在密封区25的帮助下，盖子20和衬底10一起限制了氧气和水蒸气从外部环境到有效像素15的透射。传统上，来自发光层14的光被向下透射，穿过衬底10。在这种“底部发射”配置中，衬底10和阳极12是由透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＯＬＥＤ结构，包含：衬底；位于所述衬底之上的ＯＬＥＤ，所述ＯＬＥＤ包括第一电极、位于所述第一电极之上的发射区、以及位于所述发射区之上的第二电极，并且所述ＯＬＥＤ在接通时，发射一波长范围内的光；以及位于所述衬底之上 的多层镜面，所述多层镜面包括交替的下列项；（ａ）具有第一折射率的平面化层，以及（ｂ）具有不同于所述第一折射率的第二折射率的高密度层，其中，选择所述平面化层和所述高密度层的厚度，使所述多层镜面经过调整后，能够透射在所述波长范围之内的具 有最大波长的光，以及其中，所述平面化层和所述高密度层一起限制了水和氧气的传送。

【技术特征摘要】
US 2001-11-6 09/992,4371.一种OLED结构，包含衬底；位于所述衬底之上的OLED，所述OLED包括第一电极、位于所述第一电极之上的发射区、以及位于所述发射区之上的第二电极，并且所述OLED在接通时，发射一波长范围内的光；以及位于所述衬底之上的多层镜面，所述多层镜面包括交替的下列项(a)具有第一折射率的平面化层，以及(b)具有不同于所述第一折射率的第二折射率的高密度层，其中，选择所述平面化层和所述高密度层的厚度，使所述多层镜面经过调整后，能够透射在所述波长范围之内的具有最大波长的光，以及其中，所述平面化层和所述高密度层一起限制了水和氧气的传送。2.如权利要求1所述的OLED结构，其中所述多层镜面为四分之一波长堆栈。3.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述平面化层包含从氟化聚合物、聚对二甲苯、甲基环戊烯醇酮和聚丙烯酸酯中选出的材料。4.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述高密度层包含从硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、铝氧化物、钛氧化物、铟锡氧化物、锌铟锡氧化物以及金属中选出的材料。5.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述平面化层包含聚丙烯酸酯，并且高密度层包含铝氧化物。6.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述第一电极为阳极，并且所述的第二电极为阴极。7.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述OLED器件为顶部发射器件。8.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述OLED器件为底部发射器件。9.如权利要求2所述的OLED结构，其中所述OLED器件为透明器件。10.如权利要求2所述OLED结构，其中所述四分之一波长堆栈位于所述OLED和所述衬底之间，并且其中所述第一电极为透明电极。11.如权利要求10所述的OLED结构，其中所述第一电极为透明阳极，并且所述第二电极为阴极。12.如权利要求11所述的OLED结构，其中所述第二电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔斯图尔特韦弗，
申请(专利权)人：通用显示有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]