可堆叠式半导体封装结构制造技术

一种可堆叠式半导体封装结构，包括第一基板、芯片、低模流薄膜（Ｌｏｗ　　Ｍｏｄｕｌｅｓ　　Ｆｉｌｍ）、第二基板、复数条第一导线及第一封胶材料。芯片位于第一基板上。低模流薄膜位于芯片之上。第二基板位于低模流薄膜上，低模流薄膜的面积可依第二基板的面积而调整，以支撑第二基板。第一导线电连接第二基板及第一基板。第一封胶材料暴露出第二基板的部分焊垫。因此，在打线作业时，第二基板的悬空部分不会有摇晃或是震荡的情况，而且第二基板的面积可以加大，以放置更多元件，此外，第二基板的厚度可以减小，进而降低可堆叠式半导体封装结构整体的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可堆叠式半导体封装结构，特别是涉及一种内含低模流薄膜(Low Modules Film)的可堆叠式半导体封装结构。 背录技术请参考图1，为现有可堆叠式半导体封装结构的剖视示意图。现有可堆叠 式半导体封装结构1包括第一基板11、芯片12、间隔物(Spacer)13、第二基板 14、复数条第一导线15及第一封胶材料16。第一基板11具有第一表面111及第二表面U2。芯片12具有第一表面121 及第二表面122，芯片12的第二表面122利用黏胶层17黏附在第一基板11 的第一表面111，芯片12的第一表面121利用复数条第二导线18电连接至第 一基板11的第--表面111。间隔物13黏附在芯片12的第一表面121上。第 二基板14具有第一表面141及第二表面142，第二基板14的第二表面142黏 附在该间隔物13上，第二基板14的第一表面141上具有复数个第一焊垫143 及复数个第二焊垫144。第二基板14的面积以俯视观之会大于芯片12的面积， 因此需要利用间隔物13做支撑，以防止第二基板14压到第二导线18。第一导线15电连接第二基板14的第一焊垫143至第一基板11的第一表 面lll。第一封胶材料16包覆第一基板11的第一表面lll、芯片12、第二导 线18、间隔物13、部分第二基板14及第一导线15，且暴露出第二基板14的 第一表面141上的第二焊垫144，而形成封胶开口(MoldAreaOpening)19。在 通常情况下，现有可堆叠式半导体封装结构1可以再迭放另'封装结构20或 其它元件于封胶开口 19，其中封装结构20的焊球201电连接第二基板14的 第二焊垫144。现有可堆叠式半导体封装结构1的缺点如下。首先，间隔物13为一板体， 其预先裁切成所需尺寸，再涂胶后黏附在芯片12上，之后第二基板14再黏附 在间隔物13上，十.述步骤不仅繁复，而且不易对位。其次，间隔物13不能接触到第二导线18,因此其面积必需小于芯片12的面积，然而由于第二基板14的面积会大于芯片12的面积，因此第二基板14有些部分会延伸于间隔物13 之外，而形成悬空部分。在通常情况下，第一焊垫143会位于悬空部分(即间 隔物13或芯片12相对位置的外围)，且第一焊垫143与间隔物13的边缘的 相对位置间的距离定义为悬空长度Ll ，经实验显示当悬空长度Ll大于第二基 板14的厚度T1三倍以上的情况下，在打线(WireBonding)作业时，悬空部分 会有摇晃或是震荡的情况，不利于进行打线作业。更甚者，当打线作业时，第 二基板14受到向下应力太大时，会造成第二基板14破裂(crack)。其次，由于 会有上述摇晃、震荡或是破裂的情况，因此悬空部分不能太长，使得第二基板 14的面积受到限制，因而限制于封胶开口 19暴露出第二基板14的第一表面 141上的第二焊垫144的布局空间。最后，为了减少上述摇晃、震荡或破裂的 情况，第二基板14的厚度不可太薄，因此无法有效降低现有可堆叠式半导体 封装结构1的整体厚度。因此，有必要提供一种创新且具有进步性的可堆叠式半导体封装结构，以 解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种可堆叠式半导体封装结构。 为实现所述之目的，本专利技术包括第一基板、芯片、低模流薄膜(Low Modules Film)、第二基板、复数条第一导线及第一封胶材料。第一基板具有第一表面 及第二表面。芯片位于第一基板的第一表面，且电连接至第一基板的第一表面。 低模流薄膜位于芯片之上。第二基板位于低模流薄膜上，第二基板具有第一表 面及第二表面，第二基板的第一表面上具有复数个第一焊垫及复数个第二焊 垫，低模流薄膜的面积可依第二基板的面积而调整，以支撑第二基板。第一导 线电连接第二基板的第一焊垫至第'基板的第一表面。第-'封胶材料包覆第 基板的第一表面、芯片、低模流薄膜、部分第二基板及第--导线，且暴露出第 二基板的第一表面上的第二焊垫。本专利技术提供之一种可堆叠式半导体封装结构在打线作业时，第二基板的悬 空部分不会有摇晃、震荡或是破裂的情况，而且第二基板的面积可以加大，以 放置更多元件，此外，第二基板的厚度可以减小，进而降低可堆叠式半导休封装结构整体的厚度。本专利技术之目的特征及优点将以实施例结合附图进行详细说明。附图说明图1为现有可堆叠式半导体封装结构的剖视示意图； 图2为本专利技术可堆叠式半导体封装结构的第一实施例的剖视示意图； 图3为本专利技术可堆叠式半导体封装结构的第二实施例的剖视示意图； 图4为本专利技术可堆叠式半导体封装结构的第三实施例的剖视示意图； 图5为本专利技术可堆叠式半导体封装结构的第四实施例的剖视示意图。其中，附图标记说明如下1现有可堆叠式半导体封装结构2本专利技术第一实施例可堆叠式半导体封装结构3本专利技术第二实施例可堆叠式半导体封装结构4本专利技术第三实施例可堆疊式半导体封装结构5本专利技术第四实施例可堆叠式半导体封装结构具体实施方式请参考图2，为本专利技术可堆叠式半导体封装结构的第一实施例的剖视示意 图。可堆叠式半导体封装结构2包括第一基板21、芯片22、低模流薄膜(Low Modules Film)23、第二基板24、复数条第一导线25及第一封胶材料26。第一基板21具有第一表面211及第二表面212。芯片22具有第--表面221 及第二表面222，芯片22的第二表面222利用黏胶层27黏附在第一基板21 的第一表面211，芯片22的第一表面221利用复数条第二导线28电连接至第 一基板21的第一表面211 。低模流薄膜23位于该芯片22的第一表面221上。 第二基板24具有第一表面241及第二表面242，第二基板24的第二表面242 黏附在低模流薄膜23上，第二基板24的第一表面241上具有复数个第一焊垫 243及复数个第二焊垫244。在本实施例中，低模流薄膜23为胶带(Tape)型式的热固性树脂，其成分 包括树脂(包括环氧树脂(EpoxyResin)及酚树脂(PhenolResin))、压克力橡胶 (Acrylic Rubber)及硅填充料(Si Filler)。本实施例所使用的低模流薄膜23为曰 立化学公司(Hitachi Chemical Co.，Ltd.)所生产，产品型号为FH-WP。低模流薄 膜23在固化(Curing)后会有较高的弹性系数(Elastic Modulus),而可以支撑该 第二基板24。由于低模流薄膜23本身即具有黏着性，因此其实施方式是先将 低模流薄膜23形成在第二基板24的第二表面242上，再置于芯片22的第- -表面221上，之后再进行固化即可。然而要注意的是，低模流薄膜23在固化 后其上表面231的水平高度要高于第二导线28的最高处。第一导线25电连接第二基板24的第一焊垫243至第一基板21的第一表 面211。第一封胶材料26包覆第一基板21的第一表面211、芯片22、第二导 线28、低模流薄膜23、部分第二基板24及第一导线25，且暴露出第二基板 24的第一表面241上的第二焊垫244，而形成封胶开口 29。在通常情况下， 可堆叠式半导体封装结构2可以再迭放另一封装结构30或其它元件于封胶开 口 29，其中封装结构30的焊球301电连接第二基板24的第二焊垫244。请本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可堆叠式半导体封装结构，其特征在于，包括：一第一基板，具有一第一表面及一第二表面；一芯片，位于该第一基板的第一表面，且电连接至该第一基板的第一表面；一低模流薄膜（ＬｏｗＭｏｄｕｌｅｓＦｉｌｍ），位于该芯片 之上；一第二基板，位于该低模流薄膜上，该第二基板具有一第一表面及一第二表面，该第二基板的第一表面上具有复数个第一焊垫及复数个第二焊垫，该低模流薄膜的面积依该第二基板的面积而调整，以支撑该第二基板；复数条第一导线，电连接该第二 基板的该第一焊垫至该第一基板的第一表面；及一第一封胶材料，包覆该第一基板的第一表面、该芯片、该低模流薄膜、部分该第二基板及该第一导线，且暴露出该第二基板的第一表面上的该第二焊垫。

【技术特征摘要】
1、 一种可堆叠式半导体封装结构，其特征在于，包括一第一基板，具有一第一表面及一第二表面；一芯片，位于该第一基板的第一表面，且电连接至该第一基板的第一表面；一低模流薄膜(Low Modules Film),位于该芯片之上；一第二基板，位于该低模流薄膜上，该第二基板具有一第一表面及一第二 表面，该第二基板的第一表面上具有复数个第一焊垫及复数个第二焊垫，该低 模流薄膜的面积依该第二基板的面积而调整，以支撑该第二基板；复数条第一导线，电连接该第二基板的该第一焊垫至该第一基板的第--表 面；及一第一封胶材料，包覆该第一基板的第一表面、该芯片、该低模流薄膜、 部分该第二基板及该第一导线,且暴露出该第二基板的第一表面上的该第二焊 垫。2、 如权利要求1所述的可堆叠式半导体封装结构，其特征在于，更包括 复数条第二导线，用以电连接该芯片及该第一基板的第一表面，该芯片黏附在 该第一基板的第一表面上，低模流薄膜的上表面的水平高度高于该第二导线的 最高处。3、 如权利要求2所述的可堆叠式半导体封装结构，其特征在于，该第二基板的面积大于该芯片的面积，该低模流薄膜延伸至...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢勇利，李政颖，叶荧财，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]