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一种抗辐射ＢＴＳ　　ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件结构，涉及抗辐射ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件技术，特别是涉及一种新的抗辐射ＢＴＳ　　ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件结构。本发明受到总装备部装备预先研究项目经费资助。按照本发明所提供的设计方案，在结构的中部为多晶区...
该专利属于无锡中微晶园电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微晶园电子有限公司授权不得商用。

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